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公开(公告)号：CN103988495B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280061057.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 奥林巴斯株式会社
Inventor： 须川成利
CPC classification number: H04N5/363 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，其采用低功耗的电路结构，并且能够除去像素的复位噪声。固体摄像装置(1)具有：像素(2)，其在行列方向上被排列，具有对通过传输单元从光电荷转换元件传输的信号电荷进行电压转换的电荷电压转换端子和对电荷电压转换端子的电压进行复位的第一复位单元；第一信号布线(8)，其连接各列的像素(2)；第一扫描单元(4)，其择一地选择行；以及第二复位单元(11)，其对第一信号布线(8)的电压进行复位，固体摄像装置(1)进行：在由第一扫描单元(4)选择的各行中，将由第一复位单元复位的电荷电压转换端子的电压信号读出并保存到处于悬浮电位状态的第一信号布线(8)中后进行输出的动作；以及将通过传输单元从光电荷转换单元传输了信号电荷的电荷电压转换端子的电压信号读出并保存到处于悬浮电位状态的第一信号布线(8)中后进行输出的动作。
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公开(公告)号：CN104040897A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066587.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 奥林巴斯医疗株式会社
Inventor： 须川成利
CPC classification number: H04N5/378 , H03M1/00 , H03M1/1047 , H03M1/12 , H03M1/124 , H03M1/468 , H03M1/804 , H04M1/00
Abstract: 在按照多个阶段进行模拟数字转换时，在采用逐次比较方式的同时能够得到正确的数字数据。提供一种模拟数字转换器，其具有根据来自计数器(15)的计数信号产生斜坡电压的斜坡波形信号产生部(14)、信号转换部(13)以及控制部(18)，信号转换部(13)具有保持所输入的信号电压的采样保持电路、根据电容值不同的规定数量的电容的连接组合而输出多个偏置电压的逐次比较电容群(16)以及将斜坡电压和偏置电压中的一方与信号电压进行比较的比较部(17)，控制部(18)根据比较部(17)对偏置电压和信号电压的比较结果和比较部(17)对斜坡电压和信号电压的比较结果生成信号电压的数字信号，并且，根据电容的连接组合和斜坡电压取得逐次比较电容群(16)的校准用数据。
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公开(公告)号：CN103210477A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054435.9
申请日：2011-10-28
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L27/12 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0248 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L27/1464 , H01L29/78603
Abstract: 本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。
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公开(公告)号：CN102057671B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980121962.X
申请日：2009-06-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14843 , H04N5/3575 , H04N5/37452
Abstract: 提供一种固体摄像元件及其驱动方法，对二维排列的每个像素(10)独立地设置突发读出用存储部(200)和连续读出用存储部(210)。突发读出用存储部(200)具备多个能够保持信号的电容器(25001～25104)，连续读出用存储部(210)具备唯一的电容器(213)，两者的输出信号线也独立地设置。在将各像素(10)中通过光电转换而生成的信号输出到像素输出线(14)时，在存储部(200、210)中能够同时将信号写入到电容器，之后，能够以不同的定时分别读出到外部。因而，不会妨碍获取低帧频的连续的摄像图像而能够在任意的定时得到较短时间的期间内的极短时间间隔的摄像图像。由此，能够同时进行帧数被限制但是非常高速的拍摄以及速度低于上述速度但是帧数不受限制的拍摄这两者。
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公开(公告)号：CN101147264B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200580049186.9
申请日：2005-07-04
Applicant: 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G01R31/275 , G01R31/2884
Abstract: 一种测试电路，包括：多个被测量晶体管，电性地并联设置；选择部，依次选择各个被测量晶体管；以及输出部，依次输出选择部所依次选择的被测量晶体管的源极电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101796823B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880105618.7
申请日：2008-09-04
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社岛津制作所
IPC: H04N5/372 , H01L27/146 , H04N5/232
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3415 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供一种固体摄像元件以及摄影装置。在像素区域中配置成二维阵列状的每一个像素中具备独立的像素输出线(14)，通过像素输出线(14)向多个存储部(22)依次写入像素信号。在存储部(22)中保持了多帧的像素信号的状态下，从存储部(22)读取对应于任意两帧的像素信号并分别保持到采样保持电路部(61、62)中，获取这些信号的差分，并将对应于规定的图像范围的差分信号进行累计后与阈值进行比较。累计值超过阈值时，看作被摄体中产生了变化，脉冲产生电路(66)生成触发信号。通过根据该触发信号进行摄影的停止等控制，能够对产生作为目标的现象之前或之后的状态进行准确的高速摄影。
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公开(公告)号：CN102057671A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121962.X
申请日：2009-06-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14843 , H04N5/3575 , H04N5/37452
Abstract: 提供一种固体摄像元件及其驱动方法，对二维排列的每个像素(10)独立地设置突发读出用存储部(200)和连续读出用存储部(210)。突发读出用存储部(200)具备多个能够保持信号的电容器(25001～25104)，连续读出用存储部(210)具备唯一的电容器(213)，两者的输出信号线也独立地设置。在将各像素(10)中通过光电转换而生成的信号输出到像素输出线(14)时，在存储部(200、210)中能够同时将信号写入到电容器，之后，能够以不同的定时分别读出到外部。因而，不会妨碍获取低帧频的连续的摄像图像而能够在任意的定时得到较短时间的期间内的极短时间间隔的摄像图像。由此，能够同时进行帧数被限制但是非常高速的拍摄以及速度低于上述速度但是帧数不受限制的拍摄这两者。
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公开(公告)号：CN112602194B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201880096850.2
申请日：2018-08-23
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H10F39/18 , H04N25/616 , H04N25/77 , H04N25/771 , H04N25/78 , H04N25/53
Abstract: 提供一种能够维持在受光元件(PD)与浮动扩散电容器(CFD)之间设置有传送开关的以往的光传感器的优点和优势的同时比以往更高速地进行读取、并能够进一步降低消耗电力的光传感器。受光元件的半导体结部被完全耗尽，并且受光元件的电子的势能曲线朝向所述浮动扩散电容器的方向进行负的倾斜且保持着该负的倾斜的状态地与所述浮动扩散电容器的电子势阱的最上部相连。
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公开(公告)号：CN113916266A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110766043.0
申请日：2021-07-07
Applicant: OHT株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 容量传感器具有传感器电极、第一电极极板、基板、第二电极极板。传感器电极输出与检测对象物之间的静电容量对应的信号。第一电极极板与传感器电极连接。基板具有基板表面部和阶部。在基板表面部安装有传感器电极和第一电极极板。阶部在相对于基板的基板表面部低的位置形成。第二电极极板安装于阶部，与外部配线连接。
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公开(公告)号：CN108183103B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201810124228.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/146 , H01L29/78 , H01L49/02 , H04N5/355 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L21/8234
Abstract: 本发明的一个课题在于提供一种对进一步发展产业、实现更放心更安全的社会作出大的贡献的光传感器的信号读出方法和摄像装置的信号读出方法。本发明的一个解决方法是一种光传感器，该光传感器具有受光元件、用于蓄积电荷的蓄积电容、以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容是浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关是非LDD/MOS晶体管，且该传送开关的漏极区域中的杂质浓度为少50％的浓度的非LDD/MOS晶体管。
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