公开(公告)号：CN103210477A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054435.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  大桥朋贡 ,  吉川和博 ,  吉田达朗 ,  内村彻平 ,  添田一喜 ,  须川成利

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0248 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/1464 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。