小型化强脉冲单轨放电烧蚀装置

    公开(公告)号:CN102692447B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201210190147.2

    申请日:2012-06-11

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开一种小型化的强脉冲单轨放电烧蚀装置。所述装置为长方体结构,采用模块式设计可灵活拆卸、安装。所述装置的强脉冲电流为0≦I≦400KA;强脉冲耐受最大电压为12000V;镗口尺寸调节范围为8-15mm;利用非接触线性CCD测量系统进行膛口扩张尺寸测试,精度达到0.5μm;脉冲放电烧蚀温度测量精度达到0.5℃;装有静态电阻应变仪进行精确装配应力调节,应变测试精度达0.1με。本发明适应多种脉冲放电条件的需要,装配应力可调节,烧蚀温度的测试精度高,可以经过H-G非接触式光纤测温表征,提供准确的烧蚀温度。能够进行精密的材料形变测定,从而为材料的选型提供技术数据。

    一种异形陶瓷基复合材料构件的均匀性表征方法及设备

    公开(公告)号:CN119831925A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411646211.2

    申请日:2024-11-18

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供一种异形陶瓷基复合材料构件的均匀性表征方法及设备,该方法包括:对CT断层图像序列进行图像前景分割,得到复合材料构件的前景轮廓图像序列;基于前景轮廓图像序列对CT断层图像序列进行孔隙缺陷分割,得到孔隙缺陷图像序列;基于孔隙缺陷图像序列进行三维空间分块,并获取分块后得到的各区块的平均灰度值;将平均灰度值替换到前景图像序列中对应区块进行三维重建,完成对复合材料构件均匀性的可视化表征。本发明解决了现有技术中的材料均匀性表征方法误差较大,无法精确的对异形构件均匀性分布差异进行精确的量化表征的问题。

    摩擦力矩检测设备、系统、方法及装置

    公开(公告)号:CN118961018A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410744659.1

    申请日:2024-06-11

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本公开是关于一种摩擦力矩检测设备、系统、方法及装置。涉及机械测量领域,解决了测量摩擦力矩时易产生测量误差、测量过程繁琐的问题。该设备包括:连接件,待检测件相对固定连接于所述连接件之上;连接于所述待检测件的轴驱动模块,所述待检测件在所述轴驱动模块的驱动下旋转;连接于所述连接件的力矩传感器,所述力矩传感器随所述连接件的转动产生转动位移,生成并向控制平台传输测量结果;抵接于所述待检测件的内外侧的径向载荷组件,所述径向载荷组件用于调整施加于所述待检测件内外侧以进行挤压的径向载荷。本公开提供的技术方案适用于变载荷下摩擦力矩的测量,实现了自动准确的摩擦力矩检测。

    4D打印构件、柔性手指结构及控制方法

    公开(公告)号:CN114619477B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202210446343.5

    申请日:2022-04-26

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请适用于4D打印技术领域,提供了一种4D打印构件、柔性手指结构及控制方法,4D打印构件包括加热层和致动层,加热层上的第一导电电极与电源电连接,致动层的第一侧面和加热层连接,致动层上与第一侧面相背对的第二侧面上设有沟槽和第二导电电极,沟槽中填充导电物质,第二导电电极分别与导电物质和控制系统电连接。加热层用于根据电源提供的电能产生热量改变致动层的温度,使致动层发生形变。致动层发生形变时,导电物质的微结构改变导致其阻值发生变化,控制系统通过对导电物质的阻值进行分析,实现对4D打印构件弯曲角度的实时检测并根据4D打印构件的实时弯曲角度调节加热层的输入电压,实现对4D打印构件弯曲角度的精确调控。

    一种梯度点阵填充薄壁吸能装置
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117246266A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311216718.X

    申请日:2023-09-20

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及汽车安全技术领域,公开了一种梯度点阵填充薄壁吸能装置,包括管体;吸能组件,包括若干点阵层,若干所述点阵层沿轴向嵌设在所述管体内,相邻两所述点阵层之间固定连接;所述点阵层包括一第一单胞体、若干第二单胞体和若干第三单胞体,所述第一单胞体位于所述管体轴线上,若干所述第二单胞体和若干所述第三单胞体的数量一致,若干所述第二单胞体和若干所述第三单胞体分别沿周向等间距固定连接在所述第一单胞体外圈,且若干所述第二单胞体和若干所述第三单胞体交错设置,相邻两所述第二单胞体和所述第三单胞体之间固定连接,且分别嵌设在所述管体内壁上。本发明的梯度模式通过与管体的相互作用获得更多褶皱,从而具有优异的耐撞性能。

    一种静电自组装法合成SnO2/2D g-C3N4复合光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110773221A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911090139.9

    申请日:2019-11-08

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供一种静电自组装法合成SnO2/2D g-C3N4复合光催化剂的制备方法,属于光催化领域。该制备方法包括:在空气气氛下对体相g-C3N4进行热氧化剥离,煅烧温度为450~550℃,煅烧时间为4~12h,得到2D g-C3N4;将2D g-C3N4超声分散于乙醇溶液中,加入纳米级的SnO2后搅拌10~14h,利用静电自组装得到SnO2/2D g-C3N4复合光催化剂。在该方法中,球形SnO2通过静电引力自发地组装在在2D g-C3N4的表面形成异质结结构,所制备得到的复合光催化剂具有高电荷分离和高光催化活性的特点,能够在可见光下快速降解有机污染物。

    BiVO4/2D g-C3N4Z型异质结光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN109985657A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910395741.7

    申请日:2019-04-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开一种BiVO4/2D g‑C3N4Z型异质结光催化剂的制备方法,具体方法为:先通过水热反应法制备BiVO4,热聚合三聚氰胺制备石墨相氮化碳(g‑C3N4),通过热氧化剥离得到2D g‑C3N4,然后以甲醇为溶剂,通过超声辅助化学吸附法制备BiVO4/2D g‑C3N4Z型异质结光催化剂。本发明制备的BiVO4/2D g‑C3N4Z型异质结光催化剂中,2D g‑C3N4分布在BiVO4的表面形成Z型异质结结构,能够快速分离光生电子和空穴,提高光电子的寿命,减小了光生电子空穴复合率,对可见光具有良好的响应,在催化反应40min后,罗丹明B溶液的降解率可达到93.0%。该材料可用于光降解有机污染物,对环境治理具有重要的意义。

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