-
公开(公告)号：CN116206556A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310233678.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明具体公开了一种基于人眼视觉暂留的MicroLED透明显示屏，包括透光基板、发光层、移动板和自驱动轮，所述发光层包括设于透光基板前侧的透光层以及阵列分布在透光层上的MicroLED阵列，移动板设于发光层的前侧，移动板包括横向交替设置的若干个透光板和挡光板，自驱动轮位于移动板的下侧并可驱动移动板在预设移动幅度范围内以预设频率和预设速度左右移动。本发明通过挡光板实现了自然光与MicroLED发射光在人眼视觉暂留时间内同时出现并透明显示，并基于利用人眼视觉暂留技术使得MicroLED高密度集成，有效提高了透明显示分辨率和透明度，进而解决了现有技术中发光器件亮度不够的技术问题。
-
公开(公告)号：CN113451423B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110852268.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元效应的低维半导体光电突触器件的制备方法，从上到下包括上电极对、金属纳米颗粒层、低维半导体层、氧化物层、基底层和底电极，其中金属纳米颗粒层和低维半导体层为异质结层。通过本发明的金属纳米颗粒/低维半导体异质结制备方法制得的异质结应用于光电突触器件，相比现有同质结等制得的光电突触器件，光吸收效率高、光电转化效率高、光敏突触电流信号强。
-
公开(公告)号：CN114231287B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111675864.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料及其制备方法；属于二维层状半导体异质结制备技术领域。所述异质结为垂直堆垛结构，以单层的WSe2层为底层，在所述底层上生长得到单层的VCIO层；得到所述WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料；所述纳米材料中，底层的WSe2层呈规则三角形，堆叠在底层WSe2层上的VOCl层由呈四边形的小尺寸纳米片通过晶畴连接而成。在488nm激光的照射下，顶层的VOCl单层薄膜能够显著的增强底层WSe2层的光致发光强度。本发明的WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料通过生长温度、载气流速和沉积温度三个参数控制的两次化学气相沉积法得到。本发明所公开的WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料展现出明显的WSe2光致发光增强，在二维材料发光器件领域具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号：CN113549452B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110218194.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料微纳光电集成领域，具体公开了一种氧吸附增强单层WS2荧光的方法，将WS2进行物理气相沉积，得到单层WS2二维材料，随后将其置于含氧气体中处理，从而提高材料的荧光强度。本发明经过深入研究发现，将PVD合成的单层WS2二维材料进行含氧气氛的处理，有助于实现二维材料的荧光增强。本发明工艺技术简单，调控手段方便，所涉及的物理化学机理清晰，对未来纳米材料的基础研究和光电器件集成应用方面具有极大的潜力和价值。
-
公开(公告)号：CN114725276A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210247957.0
申请日：2022-03-14
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED分立器件，包括：无源背板，所述无源背板中设有一个阴极触点以及多个阳极触点；第一键合层，位于所述无源背板上，发光组件，通过所述第一键合层与所述无源背板键合，所述发光组件包括多个层叠设置的发光结构，相邻两层所述发光结构中下一层所述发光结构相对于上一层所述发光结构在第一方向上伸出而形成阶梯结构，位于顶层的所述发光结构的N型半导体层至少部分外露以及剩余所述发光结构的N型半导体层在所述阶梯结构处至少部分外露，其中，多层外露的所述N型半导体层彼此电连接，多层所述发光结构的欧姆接触层分别与多个所述阳极触点一一对应电连接。采用本申请提供的器件可以实现三原色Micro‑LED分立器件的一体集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114019590A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210002949.X
申请日：2022-01-05
Applicant: 湖南大学
IPC: G02B1/10 , G06F30/20 , G16C60/00 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种超薄镜片的镀膜应变的计算方法及其控制方法、超薄镜片，其中镀膜应变计算：获取超薄镜片所需膜层材料的镀膜应力与厚度之间的关系模型，根据各膜层所需厚度求解对应的镀膜应力，再按改进的斯通利公式计算超薄镜片的镀膜层应力，进而得到镀膜层对基片的应变大小；镀膜应变控制：基于超薄镜片的镀膜层应力，设计一种金属氧化膜层，且其镀膜应力与镀膜层应力的矢量和小于预设应力阈值，将设计的金属氧化膜层添加到超薄镜片的镀膜层中，实现对镀膜应力的控制。本发明可以对超薄镜片在镀膜过程中的应变进行预测和控制，得到镀膜后无应变的超薄镜片。
-
公开(公告)号：CN113697779A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011167167.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用，属于二维磁性材料开发技术领域。所述新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料，为片状结构；其中，单个片状三硒化二铬纳米片中，厚度为单个晶胞厚度～N个晶胞厚度；所述N大于1；所述单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于18微米。其制备方法为：在保护气氛下，将硒气和含铬气体置于800‑900℃的环境中进行化学气相沉积，得到三硒化二铬纳米片。本发明所设计和制备的三硒化二铬纳米片可应用于过渡金属硫化物的能谷调控；其能谷调控效果明显并能在大气环境下稳定工作。
-
公开(公告)号：CN113549452A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110218194.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料微纳光电集成领域，具体公开了一种氧吸附增强单层WS2荧光的方法，将WS2进行物理气相沉积，得到单层WS2二维材料，随后将其置于含氧气体中处理，从而提高材料的荧光强度。本发明经过深入研究发现，将PVD合成的单层WS2二维材料进行含氧气氛的处理，有助于实现二维材料的荧光增强。本发明工艺技术简单，调控手段方便，所涉及的物理化学机理清晰，对未来纳米材料的基础研究和光电器件集成应用方面具有极大的潜力和价值。
-
公开(公告)号：CN113451423A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110852268.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元效应的低维半导体光电突触器件的制备方法，从上到下包括上电极对、金属纳米颗粒层、低维半导体层、氧化物层、基底层和底电极，其中金属纳米颗粒层和低维半导体层为异质结层。通过本发明的金属纳米颗粒/低维半导体异质结制备方法制得的异质结应用于光电突触器件，相比现有同质结等制得的光电突触器件，光吸收效率高、光电转化效率高、光敏突触电流信号强。
-
公开(公告)号：CN113284889A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110433616.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体异质结阵列器件及其制备方法，所述二维半导体异质结阵列器件包含衬底、位于衬底上的沟道材料层陈列，间隔的位于每个沟道材料层上的两个接触层，以及分别位于两个接触层上的源极电极和漏极电极，沟道材料层与接触层为一体成型的WSe2/SnS2异质结材料，其中沟道材料层的材料为WSe2材料，接触层的材料为SnS2材料。SnS2作为金属电极和底层WSe2材料之间的接触层，起到保护与电极接触部分的材料、降低接触电阻、提升器件性能的作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
133
records
(took 0.04 seconds)
