公开(公告)号：CN109073735B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201780027298.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 岛田明洋 ,  间瀬光人 ,  平光纯 ,  铃木高志

IPC: G01S7/486 ,  G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 本实施方式涉及一种距离传感器，其为了避免起因于干扰光的饱和而降低向在1个光敏区域准备的多个电荷收集区域分别注入的电流量之差。分别向各电荷收集区域注入电流的电流注入电路包括生成用于调节注入电流量的控制电压的电压生成电路，该电压生成电路生成对应于分别与各电荷收集区域结合的蓄积节点的电荷量中大的电荷量的控制电压，另一方面，在通过控制电压调节电流量的晶体管与蓄积节点之间配置有共源共栅器件，晶体管的电流输出端的电位与蓄积节点的电位分离。

公开(公告)号：CN106461761B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201580023670.8

申请日：2015-01-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋

IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种距离图像传感器，对于在一维方向(A)上连续排列的任意三个距离传感器(PBn、PAm、PAm+1)而言：三个距离传感器中的位于中央的距离传感器(PAm)和位于比该距离传感器(PAm)更靠近一维方向(A)上的一侧的距离传感器(PBn)中，第一信号电荷存储区域(FD1)彼此在一维方向(A)上相邻；三个距离传感器中的位于中央的距离传感器(PAm)和位于比该距离传感器(PAm)更靠近一维方向(A)上的另一侧的距离传感器(PAm+1)中，第一信号电荷存储区域(FD1)和第二信号电荷存储区域(FD2)在一维方向(A)上相邻。

公开(公告)号：CN108139468A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060013.5

申请日：2016-06-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  岩科进也 ,  铃木高志

IPC: G01S7/486 ,  G01S17/10 ,  H01L31/107 ,  H01S5/022

CPC classification number: G01S7/486 ,  G01S7/4861 ,  G01S17/10 ,  G01S17/42 ,  G01S17/936 ,  H01L31/107 ,  H01L31/167 ,  H01S5/022

Abstract: 测距装置(1)是测量到物体(K)的距离的测距装置(1)，具备：出射向物体(K)的投射光束(L1)的光源(11)；和检测由物体(K)反射的投射光束(L1)的返回光的受光元件(18)，光源(11)是将紫外区域～蓝色区域的脉冲光作为投射光束(L1)而出射的激光光源，受光元件(18)是在紫外区域～蓝色区域具有分光灵敏度并且以盖革模式进行动作的雪崩光电二极管。

公开(公告)号：CN106574974A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580044913.6

申请日：2015-08-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋

IPC: G01S17/10 ,  G01C3/06 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC classification number: G01S17/10 ,  G01C3/06 ,  G01S7/4914 ,  G01S7/4915 ,  G01S17/36 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14812 ,  H01L31/1133 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3765

Abstract: 一种测距方法，是使用了光源(LS)、具有电荷产生区域和第一以及第二电荷存储区域(FD1,FD2)的距离传感器(P(m,n))的测距方法。将产生于电荷产生区域的电荷通过在第一期间(T1)中送到第一电荷存储区域(FD1)而存储于第一电荷存储区域(FD1)，通过在第二期间(T2)中送到第二电荷存储区域(FD2)而存储于第二电荷存储区域(FD2)。根据被存储于第一电荷存储区域(FD1)的电荷量(Q1)和被存储于第二电荷存储区域(FD2)的电荷量(Q2)，运算到对象物(OJ)为止的距离(d)。在从光源(LS)射出脉冲光(Lp)的时候，从光源(LS)射出预先设定成脉冲光(Lp)的射出期间(TT)中的光强度稳定期间(TS)分别长于第一以及第二期间(T1,T2)的脉冲光(Lp)。

公开(公告)号：CN106471391A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580023874.1

申请日：2015-04-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋

IPC: G01S17/10 ,  G01C3/06 ,  H01L27/146 ,  H01L31/12 ,  H04N5/335

Abstract: 测距装置(10)中，控制部(CONT)按每个帧周期(TF)交替地更换第一脉冲传输信号(S1)与第二脉冲传输信号(S2)的时间序列上的顺序并输出第一以及第二脉冲传输信号(S1,S2)，并且运算部(ART)基于对应于按时间序列连续的2个帧周期(TF)中的相位成为相同的第一以及第二脉冲传输信号(S1,S2)而被存储于第一电荷存储区域(FD1)和第二电荷存储区域(FD2)的信号电荷的总电荷量(Q1,Q2)，运算到对象物(OJ)的距离(d)。

公开(公告)号：CN106461761A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023670.8

申请日：2015-01-29

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋

IPC: G01S7/486 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种距离图像传感器，对于在一维方向(A)上连续排列的任意三个距离传感器(PBn、PAm、PAm+1)而言：三个距离传感器中的位于中央的距离传感器(PAm)和位于比该距离传感器(PAm)更靠近一维方向(A)上的一侧的距离传感器(PBn)中，第一信号电荷存储区域(FD1)彼此在一维方向(A)上相邻；三个距离传感器中的位于中央的距离传感器(PAm)和位于比该距离传感器(PAm)更靠近一维方向(A)上的另一侧的距离传感器(PAm+1)中，第一信号电荷存储区域(FD1)和第二信号电荷存储区域(FD2)在一维方向(A)上相邻。

公开(公告)号：CN103155150B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180049537.1

申请日：2011-06-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  铃木高志

IPC: H01L27/146 ,  G01S17/89

CPC classification number: G01C3/00 ,  G01S7/4816 ,  G01S7/4861 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14614

Abstract: 光栅极（PG），平面形状为具有彼此相对的第1和第2长边（LS1,LS2）、以及彼此相对的第1和第2短边（SS1,SS2）的长方形形状。第1以及第2半导体区域（FD1,FD2）在第1和第2长边（LS1,LS2）的相对方向上夹持光栅极（PG）而相对地配置。第3半导体区域（SR1）在第1和第2短边（SS1,SS2）的相对方向上夹持光栅极（PG）而相对地配置。第3半导体区域（SR1）使在第1和第2短边（SS1,SS2）侧的电势高于光栅极（PG）的正下方的区域中的位于第1以及第2半导体区域（FD1,FD2）之间的区域中的电势。

公开(公告)号：CN101784911A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103865.3

申请日：2008-08-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  水野诚一郎 ,  武村光隆

IPC: G01S17/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/2352 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14603 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37452

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置以及距离图像测量装置。在所述固体摄像装置中，一对第1栅极(IGR、IGL)以光感应区域(SA)和一对第1存储区域(AR、AL)之间的电势(ΦTX1、ΦTX2)交替地倾斜的方式设置于半导体基板(100)上；一对第2栅极(IGR、IGL)以控制分别介于第1存储区域(AR、AL)和第2存储区域(FDR、FDL)之间的第1势垒(ΦBG)的高度的方式设置于半导体基板(100)上，并随着由光检测元件检测的背景光的输出变高而使相对于载流子的第1势垒(ΦBG)的高度增加。

公开(公告)号：CN101688915A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023309.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  铃木高志 ,  水野诚一郎 ,  武村光隆

IPC: G01S17/10 ,  H01L27/146 ,  H01L31/12

CPC classification number: H01L27/1464 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d’(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d’(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。

公开(公告)号：CN112868108B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201980068249.7

申请日：2019-07-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  田口桂基 ,  石原兆 ,  山本洋夫 ,  岛田明洋

IPC: H01L31/10 ,  G01S17/08

Abstract: 一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。