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公开(公告)号：CN101562218A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910097932.1
申请日：2009-04-23
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法，使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束，硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。本发明还公开了制备上述薄膜的装置，包括原料腔和成膜腔，原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔，成膜腔连接真空系统，成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台，硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后，样品台带动硅太阳电池移动，在硅太阳电池表面形成硅纳米颗粒薄膜。本发明方法可以有效地控制硅纳米颗粒在硅太阳电池表面的成膜速度和所得硅纳米颗粒薄膜的厚度及均匀性，本发明可以提高硅太阳电池的效率，有利于硅太阳电池成本的降低。
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公开(公告)号：CN101559946A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910098051.1
申请日：2009-04-27
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置，包括将含有含硅气源和惰性气体的混合气体输入到等离子体腔中，在真空条件下，激发等离子体腔中的气体，使含硅气源转化形成硅纳米颗粒，硅纳米颗粒被气流携带出等离子体腔后通过收集器收集。本发明方法可以在硅纳米颗粒的制备过程中使用高功率的等离子体，同时尽量避免了硅纳米颗粒在等离子体腔体内壁上的沉积和改善了在气相中对硅纳米颗粒的收集。本发明使硅纳米颗粒的制备达到了规模化生产的要求。
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公开(公告)号：CN101559945A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910098050.7
申请日：2009-04-27
IPC: C01B33/021 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。本发明还公开了实施该方法的装置包括带有真空管路接口的壳体，壳体内设有：带有进口和出口的熔化腔，用于对熔化腔内物料加热的加热装置；和位于熔化腔出口下方的收集装置。本发明技术方案在保证多晶硅料的纯度的情况下，显著降低多晶硅料的制备成本；不仅可以制备多晶硅料，而且可以把传统上分离的多晶硅料制备和多晶硅铸造集成起来，显著地简化工艺，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN119371224B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411957499.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种利用熔盐法制备的多孔碳化钽及其制备方法与应用，结合熔融盐和固相烧结法，首先利用过量熔融钽前驱体粉末（例如氧化钽等）来使多孔碳基材料（例如多孔石墨）金属化形成多孔钽；随后钽原子热运动扩散渗透到石墨等碳材料的晶格中，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽，但内部会有部分碳芯；最后在热处理炉中进行除碳，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽。与现有技术相比，本发明制造的多孔碳化钽耐腐蚀性更强，可再生使用，孔隙率更高且无空隙堵塞现象的发生。
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公开(公告)号：CN119372784A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411960462.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种半导体晶体制备方法、籽晶托和PVT生长系统。所述方法在对现有工艺制备得到半导体晶体进行检测的基础上，获得缺陷类型和位置，再依据所述缺陷类型和位置在籽晶托上制作温控凹槽。高温生长条件下，温控凹槽及填充物会引起该处籽晶托位置热辐射变化，进而会导致相邻籽晶附近温度发生变化，从而实现精准调控籽晶生长面特定位置的热场分布。此外，本发明在籽晶托背面设置的温控凹槽，其结构与制作工艺简单，与现有技术相比，成本大大降低，即通过低成本的改进实现对籽晶生长面热场分布的精准控制，进而获得应力小、缺陷密度低的半导体晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119260483A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411783897.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B24B1/00 , B24B7/22 , C30B33/00 , C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶锭的加工方法和碳化硅衬底的加工方法，所述碳化硅晶锭的加工方法包括：提供包括一价固体碱和固体含氧酸盐型氧化剂的化学改性剂并加热制成熔融混合液，将碳化硅晶锭的待处理面浸入熔融混合液中，然后进行平面机械磨削，将碳化硅晶锭的待处理面加工成平面。本发明的加工方法中，使用的熔融混合液可以使碳化硅晶锭的表面变得多孔疏松且硬度变软，降低机械磨削过程中的机械应力，同时，在机械磨削的过程中裸露出的新的表面会继续与熔融混合液进行反应，如此循环，最终能够获得相对平整、表面光滑无裂纹、应力较低的碳化硅晶锭，不仅加工效率极高，而且可以有效提高后续切片的成品率，实现高质量碳化硅衬底的制备。
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公开(公告)号：CN118493094A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410961673.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。
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公开(公告)号：CN114062371B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111347397.8
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN117702282A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705692.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。
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公开(公告)号：CN117568922A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311569627.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种分段式石墨坩埚及碳化硅晶体生长方法，分段式石墨坩埚包括上坩埚、下坩埚，上坩埚与升降机构相连，下坩埚包括坩埚体、坩埚盖，坩埚盖上端设有与坩埚体相连通的坩埚柱，坩埚柱内放有带非穿透性孔的等静压石墨片，坩埚体内放有支撑等静压石墨片用的多孔石墨直筒，多孔石墨直筒、等静压石墨片、下坩埚围合成装填碳化硅粉料用的料腔，非穿透性孔在碳化硅粉料受热产生的硅蒸汽腐蚀下变为穿透性孔，上坩埚倒置在坩埚盖上端，并与坩埚柱内外套接使得二者内部形成有供碳化硅晶体生长的空腔，上坩埚安装有籽晶；碳化硅生长方法基于分段式石墨坩埚进行。本发明有效减少硅蒸汽腐蚀籽晶和籽晶周围石墨件，减少籽晶表面形成缺陷和碳颗粒。
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