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公开(公告)号：CN115161762B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210900279.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
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公开(公告)号：CN115161762A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210900279.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
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公开(公告)号：CN114062371A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111347397.8
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN114062371B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111347397.8
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN115588612A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211507022.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/04 , H01L21/02 , H01L21/334 , H01L29/94
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件，首先利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成第一栅氧化层，再利用热氧化法透过第一栅氧化层在所述碳化硅外延表面形成第二栅氧化层，从而得到由第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的栅极氧化层；其中，所述第一栅氧化层的厚度为所述栅极氧化层厚度的1/6‑1/5；使得在降低碳空位等缺陷的同时又可以有效防止漏电及保证较高的栅氧可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113781487B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202111345465.7
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆表面复合速率与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的表面复合速率图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的表面复合速率图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN115588612B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211507022.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/04 , H01L21/02 , H01L21/334 , H01L29/94
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件，首先利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成第一栅氧化层，再利用热氧化法透过第一栅氧化层在所述碳化硅外延表面形成第二栅氧化层，从而得到由第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的栅极氧化层；其中，所述第一栅氧化层的厚度为所述栅极氧化层厚度的1/6‑1/5；使得在降低碳空位等缺陷的同时又可以有效防止漏电及保证较高的栅氧可靠性。
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公开(公告)号：CN115831727A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211620101.X
申请日：2022-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L21/04
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用电子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件，通过采用电子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在碳化硅晶圆中生成点缺陷，初步形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；其中，所述点缺陷包括间隙原子和空位；对所述符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆进行中温退火，使电子辐照产生的间隙原子形成双间隙复合物或者三间隙复合物，并保留空位，从而得到制备完成的半绝缘碳化硅晶圆；本发明利用电子辐照和中温退火在碳化硅晶圆中产生大量的点缺陷，增加半绝缘碳化硅晶圆的电阻率，然后利用中温快速退火，使间隙碳快速的形成复合物，从而留下有用的碳空位，提高了半绝缘碳化硅晶圆更高的热稳定性。
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公开(公告)号：CN115810537A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211619902.4
申请日：2022-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件；通过采用具有预定质子能量和预定质子剂量的质子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在所述碳化硅晶圆中生成多种类型的点缺陷，形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；本发明采用质子辐照来辐照碳化硅材料，产生多种类型的点缺陷，特别是复杂点缺陷，从而形成高质量半绝缘碳化硅晶圆；并同时设定合适的质子辐照的剂量和能量，从而增加辐照后碳化硅晶圆的电阻率和热稳定性。
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公开(公告)号：CN114999900B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210839289.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/04 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命的方法，通过从非晶硅薄膜中逸出的氢原子对所述碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的表面寿命；再通过对所述非晶硅薄膜进行激光照射，增加从所述非晶硅薄膜中逸出到所述碳化硅晶圆中的氢原子数量，所述氢原子对所述碳化硅晶圆内部的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的体寿命，从而最终通过提高所述碳化硅晶圆表面寿命和体寿命来提高所述碳化硅晶圆中少数载流子的寿命。
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