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公开(公告)号：CN108161215B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201711146070.8
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供一种SiC晶片的生成方法，其能够高效地将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；以及SiC晶片生成工序，将SiC晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对SiC晶锭(2)赋予具有与SiC晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将SiC晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(34)。
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公开(公告)号：CN107717248B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710646236.6
申请日：2017-08-01
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供SiC晶片的生成方法，实现生产性的提高。一种SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该SiC晶片的生成方法包含如下工序：剥离面生成工序，在SiC锭的内部形成多个由改质层和从改质层起沿着c面延伸的裂纹构成的分离层而生成剥离面；以及晶片生成工序，以剥离面为界面将锭的一部分剥离而生成SiC晶片。在剥离面生成工序中，脉冲激光光线的能量密度被设定为如下的能量密度：重叠照射在之前形成的分离层上的脉冲激光光线不会因在分离层上反射而在分离层的上方形成损伤层，或者不会因透过分离层而在分离层的下方形成损伤层。
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公开(公告)号：CN106346148B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201610518470.6
申请日：2016-07-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622
Abstract: 本发明涉及多晶SiC晶片的生成方法。本发明的课题在于提供一种从多晶SiC晶锭高效率地生成多晶SiC晶片，从而减少废弃比例的多晶SiC晶片的生成方法。一种多晶SiC晶片的生成方法，其中，在形成用于从多晶SiC晶锭生成多晶SiC晶片的界面的改性层形成工序中，所形成的该界面为改性层连锁形成的面，所述改性层如下形成：利用脉冲激光光线的聚光点使多晶SiC分离为非晶硅与无定形碳，形成初期的改性层，之后连续照射的脉冲激光光线由之前形成的无定形碳吸收，同时在功率密度一定的位置，分离为非晶硅与无定形碳而形成改性层。
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公开(公告)号：CN111162017A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911079478.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供小面区域的检测方法和检测装置以及晶片的生成方法和激光加工装置。该小面区域的检测方法是能够检测出小面区域和非小面区域的SiC晶锭的小面区域的检测方法。该小面区域的检测方法包括下述工序：荧光亮度检测工序，从SiC晶锭(84)的上表面对SiC晶锭(84)照射规定波长的激发光(EL)，检测SiC固有的荧光亮度；以及坐标设定工序，将荧光亮度检测工序中荧光亮度为规定值以上的区域设为非小面区域(100)，荧光亮度低于规定值的区域设为小面区域(98)，设定小面区域(98)与非小面区域(100)的边界的坐标。
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公开(公告)号：CN110911268A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910801041.3
申请日：2019-08-28
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法和激光加工装置，生成在小面区域与非小面区域之间没有阶梯差的晶片。从SiC锭生成SiC晶片的方法包含如下工序：小面区域检测工序，从SiC锭的上表面检测小面区域；坐标设定工序，设定小面区域与非小面区域的边界的X坐标Y坐标；以及加工进给工序，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离SiC锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，一边对SiC锭照射激光光线一边将SiC锭和聚光点在X轴方向上相对地进行加工进给，在SiC锭的内部形成带状的剥离层。在加工进给工序中，相对于对非小面区域照射激光光线时的激光光线的能量和聚光器的位置，使对小面区域照射激光光线时的激光光线的能量上升，并使聚光器的位置上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107030392B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610930017.6
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 本发明提供一种能够将SiC基板分离成至少2张而不会使其破损的SiC基板分离方法。其特征在于，该分离方法具备：粘合带贴合步骤，在该第1面上贴合透明的粘合带；保持部件贴合步骤，在该第2面上贴合保持部件；分离起点形成步骤，将对于SiC基板和该粘合带具有透过性的波长的激光束的聚光点从该粘合带侧定位于SiC基板的内部，同时一边使该聚光点和SiC基板相对移动，一边将激光束照射至该粘合带上，形成与该第1面平行的改质层和裂纹，形成分离起点；和分离步骤，实施该分离起点形成步骤后，施加外力，从该分离起点将具有该第1面的SiC基板与该粘合带一起从具有该第2面的SiC基板分离。
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公开(公告)号：CN106469680B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610674731.3
申请日：2016-08-16
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，将由SiC基板构成的晶片分割成一个个的器件芯片，具有：分离起点形成步骤，将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一面或第二面相当于器件芯片的完工厚度的区域，使聚光点与SiC基板相对地移动并照射激光束，形成与第一面平行的改质层和裂痕而作为分离起点；器件形成步骤，在第一面上在由相互交叉的多条分割预定线划分出的区域中形成多个器件；分割起点形成步骤，沿着形成于第一面的多条分割预定线形成相当于器件芯片的完工厚度的深度的分割起点；保护部件配设步骤，在第一面上配设保护部件；和晶片分离步骤，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离。
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公开(公告)号：CN110712306A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910957194.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 晶片的生成方法，抑制磨削磨具的消耗量并缩短磨削时间。晶片的生成方法从具有第一端面以及位于该第一端面的相反侧的第二端面的化合物单晶锭生成晶片，包含分离面形成步骤，由卡盘工作台对化合物单晶锭的第二端面进行保持，将对于化合物单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，使该聚光点与化合物单晶锭相对地移动而对该第一端面照射该激光束，形成由与该第一端面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕构成的分离面。将构成化合物单晶锭的原子量大的原子和原子量小的原子之中原子量小的原子排列的极性面作为该第一端面，在平坦化步骤中对原子量小的原子排列的极性面即第一端面进行磨削。
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公开(公告)号：CN105750742B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201511009172.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射该激光束，形成与正面平行的改质层和沿着c面从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点。该分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，形成直线状的改质层；以及转位步骤，使该聚光点在形成偏离角的方向上且向c面呈下坡的方向相对地移动而转位规定的量。
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公开(公告)号：CN110071034A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910051891.6
申请日：2019-01-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法和晶片的生成装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够容易地判别出晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。晶片的生成方法包含如下的步骤：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭(50)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离六方晶单晶锭(50)的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度并向六方晶单晶锭(50)照射激光光线(LB)，从而形成剥离层(74)；超声波产生工序，将超声波产生单元(6)定位成隔着水层(LW)与要生成的晶片对置，通过产生超声波来破坏剥离层(74)；以及剥离检测工序，根据声音的变化对将要从六方晶单晶锭(50)生成的晶片的剥离进行检测。
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