公开(公告)号：CN102822968B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080065840.6

申请日：2010-04-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区、和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区之间，设置有低浓度区。低浓度区具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。

公开(公告)号：CN102376759B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110251267.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口纮子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/30 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。

公开(公告)号：CN103392224A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180068316.9

申请日：2011-06-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，本说明书所公开的半导体装置具有：第一导电型的漂移层，其被形成于半导体基板上；第二导电型的体层，其位于漂移层的表面侧，并被形成于半导体基板的表面上。漂移层具有寿命控制区，在寿命控制区中，在将于半导体基板的深度方向上发生变化的漂移层的晶体缺陷密度的极大值设为h时，晶体缺陷密度为h／2以上。寿命控制区通过向第一导电型的前漂移层照射带电粒子而形成，其中，所述第一导电型的前漂移层包括第一电阻层、和与第一电阻层相比电阻率较低的第二电阻层，寿命控制区的至少一部分被形成于第二电阻层的范围内。

公开(公告)号：CN101946324A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980104979.4

申请日：2009-02-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H03K17/0812

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0045

Abstract: 提供一种在IGBT元件区与二极管元件区利用具有共同杂质浓度的体区的反向导通半导体元件中，能够调节二极管元件区的空穴或者电子的注入效率的技术。当在利用NPNP型的IGBT的反向导通半导体元件(20)中流有回流电流(110)时，向二极管元件区(24)的第2沟槽栅电极(46)施加高于发射极(32)的电压的第2电压。在第2沟槽栅电极(46)的周围形成有n型的反转层(56)，从而电子(58)流过作为相同的n型杂质区的第1体接触区(35)和漂移区(38)。回流电流(110)中的电子(58)的注入效率增加，而空穴(54)的注入效率降低。由此，能够防止反向恢复电流增大，并能够减少在二极管元件区(24)中所产生的开关损耗。

公开(公告)号：CN106575668B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201580045037.9

申请日：2015-06-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：半导体基板，其在表面上形成有沟槽；沟槽电极，其被配置在所述沟槽内；层间绝缘膜，其对所述沟槽电极的表面进行覆盖，并从所述半导体基板的所述表面突出；肖特基电极，其被配置在所述半导体基板的所述表面上，并被配置在从所述层间绝缘膜离开了的位置处，且相对于所述半导体基板而肖特基接触；埋入电极，其被配置在所述层间绝缘膜与所述肖特基电极之间的凹部内，并由与所述肖特基电极不同的金属而构成；表面电极，其对所述层间绝缘膜、所述埋入电极以及所述肖特基电极进行覆盖。

公开(公告)号：CN107180863A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138551.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  久野敬史

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，其实现电极的裂纹的抑制和开关元件的导通电阻的降低。在开关元件中，半导体基板具有第一元件范围和无效范围，第一元件范围具备栅极用的第一沟槽，无效范围不具备第一沟槽。在覆盖半导体基板的上表面的层间绝缘膜上，于第一元件范围内设置有接触孔，于无效范围内设置有宽幅接触孔。第一金属层在接触孔和宽幅接触孔内与半导体基板相接。在第一金属层的表面上，于接触孔的上部设置有第一凹部，于宽幅接触孔的上部设置有第二凹部。绝缘保护膜对第二凹部的底面的外周侧的部分进行覆盖。在绝缘保护膜的包含第一元件范围在内的范围内所设置的开口的侧面被配置于第二凹部内。第二金属层在开口内与第一金属层和开口的侧面相接。

公开(公告)号：CN107180862A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710137727.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  久野敬史

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，其抑制第一金属层的裂纹，并确保开关元件的耐压，且降低开关元件导通时的电阻。在所述开关元件中，半导体基板具有第一元件范围和无效范围。第一沟槽跨及第一元件范围和无效范围而在第一方向上延伸。在第一元件范围内，于各个沟槽间区域内设置有多个第二沟槽。在无效范围内，于各个沟槽间区域内未设置有第二沟槽。在沟槽内配置有栅电极。在无效范围内，于层间绝缘膜上未设置有接触孔。第一金属层对层间绝缘膜进行覆盖。绝缘保护膜对无效范围内的第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。第二金属层在绝缘保护膜的开口内与第一金属层相接并且与开口的侧面相接。

公开(公告)号：CN106133913A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015955.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  浜田公守 ,  添野明高 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。

公开(公告)号：CN103959475B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280006360.1

申请日：2012-11-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/047 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移层；第二导电型的主体层；第一导电型的源极层；第一导电型的漏极层；沟槽栅极，贯通主体层而到达漂移层；第二导电型的第一半导体层，包围沟槽栅极的底部，通过漂移层而与主体层分离；第一导电型的第二半导体层，沿着沟槽栅极的长度方向上的端部设置，该第一导电型的第二半导体层的一端部与主体层相接且另一端部与第一半导体层相接；及连接层，该连接层的一端部与主体层连接且另一端部与第一半导体层连接，并且，该连接层与第二半导体层相接，通过第二半导体层而与沟槽栅极的长度方向上的端部相隔离。

公开(公告)号：CN105702718A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。