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公开(公告)号:CN107004599A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580065169.8
申请日:2015-12-14
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/3205 , C01B33/12 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/14 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种基板中间体,其具备:在厚度方向具有配置导电体的孔的基板,以及在所述孔的壁面形成的密合层,所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。
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公开(公告)号:CN103081076A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180040488.5
申请日:2011-09-08
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C09K3/10 , H01L21/304 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/02334 , C09K3/1006 , C09K2200/0645 , H01L21/02063 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液,上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序:密封组合物赋予工序,对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层,上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~600000的树脂,并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下;以及洗涤工序,利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液,将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。
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公开(公告)号:CN101490145A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200780027621.7
申请日:2007-05-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C08J9/36 , C08G77/18 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/56 , C08G77/58 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/249921 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4-a(式中,R1表示1价的有机基团,R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团,R2表示1价的有机基团,a为1~3的整数,R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后,与疏水性化合物发生气相反应,使用得到的多孔膜,得到半导体装置。
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公开(公告)号:CN101490145B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200780027621.7
申请日:2007-05-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C08J9/36 , C08G77/18 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/56 , C08G77/58 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/249921 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4-a(式中,R1表示1价的有机基团,R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团,R2表示1价的有机基团,a为1~3的整数,R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后,与疏水性化合物发生气相反应,使用得到的多孔膜,得到半导体装置。
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