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公开(公告)号：CN109887911B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201811483645.X
申请日：2018-12-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L21/60 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种能够缓解在晶体管部分产生的热应力、能够抑制元件的尺寸的增大且能够抑制散热性的下降的半导体装置。在基板上的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有第一布线。进而，在基板的上方配置有第二布线。在第一布线以及第二布线上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与第一布线重叠的第一开口以及与第二布线重叠的第二开口。配置在绝缘膜上的第一凸块穿过第一开口与第一布线连接，第二凸块穿过第二开口与第二布线连接。在俯视下，多个动作区域中的至少一个动作区域配置在第一凸块的内侧，配置在第一凸块的内侧的动作区域的至少一部分的区域配置在第一开口的外侧。第一开口的平面形状与第二开口的平面形状相同。
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公开(公告)号：CN109818580B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201811389121.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制耗电的功率放大器以及化合物半导体装置。功率放大器具备初级放大电路、输出级放大电路、初级偏置电路和输出级偏置电路。初级放大电路包括：第一高电子迁移率晶体管，源极与基准电位电连接，栅极被输入高频输入信号；和第一异质结双极晶体管，发射极与第一高电子迁移率晶体管的漏极电连接，基极交流地与基准电位电连接，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频信号。输出级放大电路包括第二异质结双极晶体管，该第二异质结双极晶体管的发射极与基准电位电连接，基极被输入从第一异质结双极晶体管输出的高频信号，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频输出信号。
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公开(公告)号：CN109994440B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201811490781.1
申请日：2018-12-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种能够减小形成在同一基板的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。在形成于基板的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有布线，在其上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与布线重叠的开口。在绝缘膜上配置有穿过开口与布线电连接的金属构件。单位晶体管在基板上在第一方向上并列地配置。开口的几何中心相对于单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心在第一方向上偏移。在将具有与单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心最近的几何中心的开口定义为最靠近开口时，从动作区域的几何中心到最靠近开口的几何中心的向第一方向的偏移量，从单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。
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公开(公告)号：CN113014212A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011518210.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供能够抑制晶体管列所占的区域的长度的长大化、且抑制从晶体管到阻抗转换电路的寄生电阻的增大、寄生电感的偏差的增大的功率放大模块。半导体芯片包括多个晶体管列。与多个晶体管列对应地配置有与晶体管的集电极连接的第一凸块，配置有与发射极连接的第二凸块。晶体管列沿着凸多边形的边配置。设置于电路板的第一焊盘以及第二焊盘分别与第一凸块以及的第二凸块连接。第一阻抗转换电路将第一焊盘和信号输出端子连接。晶体管列的多个晶体管被分组为多个组，第一阻抗转换电路包括针对每个组配置的电抗元件。
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公开(公告)号：CN107508558B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710343985.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种维持可靠性并提高功率附加效率的功率放大电路。功率放大电路包括：基极输入有无线频率信号的第1晶体管；输出与电源电压相对应的第1电压的第1电压输出电路；以及基极或栅极被提供有第1电压、发射极或源极连接至第1晶体管的集电极、并从集电极或漏极输出对无线频率信号进行放大后而得的第1放大信号的第2晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106817089B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201611041657.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供在发送接收频率间隔较窄的频带中抑制接收频带的噪声产生的功率放大模块。功率放大模块，包括：第一输入端子，该第一输入端子输入第一频带中的第一发送信号；第二输入端子，该第二输入端子输入比第一频带的发送接收频率间隔窄的第二频带中的第二发送信号；第一放大电路，第一发送信号被输入至该第一放大电路，该第一放大电路将放大所述第一发送信号后的第一放大信号输出；第二放大电路，第二发送信号被输入至该第二放大电路，该第二放大电路将放大所述第二发送信号后的第二放大信号输出；第三放大电路，第一或第二放大信号被输入至该第三放大电路，该第三放大电路将放大所述第一或第二放大信号后的输出信号输出；以及衰减电路，该衰减电路设置在所述第二输入端子与所述第二放大电路之间，使第二频带中的接收频带分量衰减。
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公开(公告)号：CN106817096B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201611048553.X
申请日：2016-11-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及一种功率放大装置。包括放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；向第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，第1偏置电路包括从发射极或源极输出第1偏置电流的第3晶体管；一端输入第1无线频率信号且另一端与第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第3电阻器。
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公开(公告)号：CN110034737A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811553133.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，提高增益的线性度。功率放大电路具备：将第1信号放大的第1晶体管；将与第1晶体管的输出信号相应的第2信号放大的第2晶体管；向第2晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压的偏置电路；以及根据从偏置电路供给的控制电压而使第1信号或第2信号衰减的衰减器，衰减器包括：阳极被供给控制电压的第1二极管；集电极与第1信号或第2信号的供给路径连接、发射极与接地侧连接、且基极被从第1二极管的阴极供给控制电压的第3晶体管；以及与第1二极管并联连接的电容器，第2信号的功率电平越大，则控制电压越为低电压，第3晶体管根据向基极供给的控制电压，使第1或第2信号的一部分从第3晶体管的集电极流向发射极。
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公开(公告)号：CN109428559A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810977998.9
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明的课题在于提供一种搭载了高次谐波的控制性提高的功率放大电路的半导体装置。为此，半导体装置具备：芯片，具有与由相互交叉的第一方向以及第二方向规定的平面平行的主面；功率放大器，将输入信号放大并从多个输出端子输出放大信号；和第一滤波器电路及第二滤波器电路，使放大信号的高次谐波衰减，第一滤波器电路包含连接在多个输出端子与接地之间的第一电容器，第二滤波器电路包含连接在多个输出端子与接地之间的第二电容器，在芯片的主面上，多个输出端子沿着第一方向排列配置，第一电容器以及第二电容器分别配置在多个输出端子的第一方向侧以及第一方向的相反侧。
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公开(公告)号：CN106921352A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611205001.5
申请日：2016-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了抑制效率变差，并且抑制互调失真造成的接收灵敏度降低的功率放大模块。功率放大模块包括：输入第一频带中的第一发送信号的第一输入端子；输入比第一频带高的第二频带中的第二发送信号的第二输入端子；输出将第一发送信号放大后的第一放大信号的第一放大电路；输出将第二发送信号放大后的第二放大信号的第二放大电路；设置在第一输入端子和第一放大电路之间的第一滤波器电路；以及设置在第二输入端子和第二放大电路之间的第二滤波器电路，第一滤波器电路是使第一频带通过，使第一发送信号的高次谐波以及第二发送信号衰减的低通滤波器，第二滤波器电路是使第二频带通过，使第一发送信号衰减的高通滤波器。
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