公开(公告)号：CN1523668A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410003980.7

申请日：2004-02-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子

IPC: H01L27/00 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H04B10/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3227 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件具有的集成电路有以下特点：使用价格低廉的玻璃衬底；能够应付信息量的增加；高性能；且能高速工作。一种具有通过将在不同衬底上形成的半导体元件转移以层叠的半导体元件的半导体器件，其中，在所述层叠的半导体元件之间形成有由树脂形成的膜以及形成在一部分区域中的金属氧化物，并且，在和所述层叠的半导体元件中的一个半导体元件电连接的发光元件中，第一电信号被转换为光信号，且在和所述层叠的半导体元件中的另一个半导体元件电连接的光接收元件中，所述光信号被转换为第二电信号。

公开(公告)号：CN1516288A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124242.3

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  大野由美子 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1218 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68368

Abstract: 试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

公开(公告)号：CN1149634C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN00103833.8

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，例如制造薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、锗、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1472772A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03147669.4

申请日：2003-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  鹤目卓也 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。

公开(公告)号：CN1136612C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN99110391.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1132222C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN99121082.4

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择生地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1123934C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN99121081.6

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1419297A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02157581.9

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L51/20 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

公开(公告)号：CN1417841A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02148256.X

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN1095204C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN94104268.5

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成棚绝缘膜和棚电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。