公开(公告)号：CN1254955A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99120393.3

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路,包括一绝缘基片,在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管),以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化,氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜,变成源与漏电极与导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1041873C

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN92112490.2

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层，于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1025383C

公开(公告)日：1994-07-06

申请号：CN86107793

申请日：1986-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小沼利光 ,  浜谷敏次 ,  间濑晃 ,  山口利治 ,  坂间光范 ,  犬岛乔

IPC: G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置，该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。

公开(公告)号：CN1021875C

公开(公告)日：1993-08-18

申请号：CN87105952

申请日：1987-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃

IPC: H05K3/10

CPC classification number: G02F1/13452 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/4867 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H05K1/095 ,  H05K3/245 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/035 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49137 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种在基底上制造导电图形的方法，该方法包括下列步骤：按照预定的图形印制含有导电金属微粒的树脂糊膏；烘烤所述树脂糊膏；重复所述印制和烘烤步骤，以形成层状导电图形；和压制该层状导电图形使顶部表面平滑。该方法还包括在层状导电图形上镀以金垫和在该金垫中装设集成电路芯片使其与金垫电气连接的步骤。

公开(公告)号：CN1015940B

公开(公告)日：1992-03-18

申请号：CN90102570.4

申请日：1987-08-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  坂寄宽幸

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/1343

Abstract: 公开了一种液晶器件基片的制备方法。该液晶器件包括一对基片，在二基片的内侧面上有多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缘部分对显示器的象素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无须对基片特别注意而把它们连接起来。该方法是用待制成电极条的导电薄膜涂敷一基片，再用准分子激光器的激光来照射以形成多个电极条而完成的。

公开(公告)号：CN1008784B

公开(公告)日：1990-07-11

申请号：CN87100058

申请日：1987-01-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  浜谷敏次

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/022408

Abstract: 介绍了一种经过改良的光电转换器。流光电转换器包括多个光电半导体元件，各光电半导体元件由第一电极、半导体层和第二电极组成。半导体层的相对表面完全为第一和第二电极所遮盖。

公开(公告)号：CN1005944B

公开(公告)日：1989-11-29

申请号：CN85109696

申请日：1985-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/31 ,  H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层爆光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN87106448A

公开(公告)日：1988-05-11

申请号：CN87106448

申请日：1987-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分。使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。