公开(公告)号：CN105405747A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510856402.6

申请日：2011-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  斎藤隆行 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 在小型化晶体管中，需要栅极绝缘层减少其厚度；然而，在栅极绝缘层为单层氧化硅膜的情况下，由于隧道电流(即栅极泄漏电流)的增加，可能发生对栅极绝缘层的变薄的物理上的限制。通过将相对电容率高于或等于10的高k膜用于栅极绝缘层，减少了小型化晶体管的栅极泄漏电流。通过将高k膜用作相对电容率高于与氧化物半导体层接触的第二绝缘层的相对电容率的第一绝缘层，栅极绝缘层的厚度能够薄于考虑氧化硅膜的栅极绝缘层的厚度。

公开(公告)号：CN104904018A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068545.X

申请日：2013-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及包括一对电极的电容元件。将形成在同一个绝缘表面上的氧化物半导体层用于该晶体管的沟道形成区及该电容元件的一个电极。该电容元件的另一个电极是透光导电膜。该电容元件的一个电极与布线电连接，该布线在设置有该晶体管的源电极或漏电极的绝缘表面上形成，电容元件的另一个电极与该晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。

公开(公告)号：CN102906882A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025328.3

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 通过氧从绝缘层放出，可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷及所述绝缘层与所述氧化物半导体层之间的界面态。因此，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102709187A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210093069.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井本裕己 ,  丸山哲纪 ,  远藤佑太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/30 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供具有优秀电特性的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成栅电极；形成栅绝缘膜以覆盖栅电极；在栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上形成氢渗透膜；在氢渗透膜上形成氢捕获膜；执行热处理以从氧化物半导体膜释放氢；形成与一部分氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极；以及去除氢捕获膜的暴露部分以形成由氢渗透膜形成的沟道保护膜。还提供由上述方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN102243807A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110094236.2

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  宇都德晃 ,  冈本知广

IPC: G08G1/052

CPC classification number: G08G1/017 ,  G06K17/0022 ,  G06K19/07749 ,  G08G1/052 ,  H04B5/0056

Abstract: 本公开涉及速度测量系统以及速度测量方法。具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签被安装在轮式车辆上，并且外部询问器和RFID标签彼此交换信息。而且，具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签和用于与该RFID标签交换信息的通信装置被设置在轮式车辆上。当外部询问器和RFID标签彼此交换信息时，通信装置将状态信息保存在RFID标签的存储部中，其中的状态信息例如为：速度信息、日期与时间信息等。