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公开(公告)号：CN118866977A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411277545.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1368 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/28
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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公开(公告)号：CN118748210A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410756119.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/34
Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
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公开(公告)号：CN118451798A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202380015723.6
申请日：2023-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K71/20 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/18 , H10K59/122 , H10K59/30 , H10K71/16
Abstract: 提供一种能够以高亮度显示的显示装置。在第一像素电极上将包含发射蓝色光的第一发光材料的第一层形成为岛状之后，在第二像素电极上将包含发射比蓝色波长长的光的第二发光材料的第二层形成为岛状。然后，形成与被第一像素电极和第二像素电极夹持的区域重叠的绝缘层，以覆盖第一层、第二层及绝缘层的方式形成公共电极。通过进行图案处理及蚀刻处理至少两次来形成绝缘层。
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公开(公告)号：CN117651444A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311109126.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/123 , H10K59/121 , H01L27/15 , H01L33/62 , H10K59/38 , H01L33/50
Abstract: 提供方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置、显示模块、电子设备。显示装置包括具有第一及第二电极、第一层、第一单元的第一发光器件及具有第三及第四电极、第二层、第二单元的第二发光器件。第一单元夹在第一与第二电极间并包含第一发光材料，第一层夹在第一单元与第一电极间并接触第一电极。第三电极与第一电极相邻。第三电极与第一电极间有第一间隙。第二单元夹在第三与第四间并包含第二发光材料，第二层夹在第二单元与第三电极间并接触第三电极。第一及第二层分别使用膜状态下以ESR装置测得第一自旋密度及高于第一自旋密度的第二自旋密度的材料。
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公开(公告)号：CN117044400A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280019440.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26
Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件及第二发光器件，第一发光器件包括第一导电层、第一导电层上的第二导电层、第二导电层上的第一发光层以及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第三导电层、第三导电层上的第四导电层、第四导电层上的第二发光层以及第二发光层上的公共电极，第二导电层覆盖第一导电层的侧面，第四导电层覆盖第三导电层的侧面，第一发光层的端部与第二导电层的端部对齐或大致对齐，第二发光层的端部与第四导电层的端部对齐或大致对齐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116670743A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180087488.4
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。
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公开(公告)号：CN116349017A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072568.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种包括通态电流高的晶体管的半导体装置及其制造方法。提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。本发明是一种包括衬底、衬底上的岛状绝缘层以及衬底及绝缘层上的晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层及一对导电层。一对导电层的一方具有与绝缘层重叠的区域，一对导电层的另一方具有不与绝缘层重叠的区域。一对导电层的另一方的顶面的高度低于一对导电层的一方的顶面的高度。一对导电层分别与半导体层接触。半导体层具有隔着栅极绝缘层与栅电极重叠的区域。
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公开(公告)号：CN115954389A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310067813.1
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L27/12
Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个。第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体。复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域包含InaMbZncOd(a、b、c和d分别表示任意数)，第二区域包含InxZnyOz(x、y和z分别表示任意数)。
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公开(公告)号：CN114942551A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210623749.6
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1362 , G02F1/1343
Abstract: 本发明提供显示装置、显示模块及电子设备。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。
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公开(公告)号：CN114864381A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210471884.3
申请日：2017-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
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