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公开(公告)号：CN1637859A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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公开(公告)号：CN101510755A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910004490.1
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101499515A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910004000.8
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/04 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供可实现更大MR变化率的磁阻效应元件。一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁阻效应膜和用于使电流沿与上述磁阻效应膜的膜面垂直的方向流过的一对电极，所述磁阻效应膜含有磁化方向实质上固定在单向上的磁化固定层、磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、在上述磁化固定层与上述磁化自由层之间设置的中间层、在上述磁化固定层或者磁化自由层上设置的盖层，和在上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层与上述中间层的界面、上述中间层与上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或者磁化自由层与上述盖层的界面的任一者上设置的功能层，上述功能层含有包含Fe含量大于等于5原子％的金属材料和氮的层。
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公开(公告)号：CN100483512C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610137368.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C8/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C8/34 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , G11B5/3163 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3268 , H01F41/305
Abstract: 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN100452175C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610092406.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应元件，包括：3层或以上的金属磁性层；所述3层或以上的金属磁性层间设置的磁性连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述3层或以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转，以便最底层的金属磁性层的磁化方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向正交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101331568A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047653.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F41/305 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3163 , G11B5/3166 , G11B5/398 , G11B5/3983 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 一种磁阻效应元件，通过下述方法制造：形成第一磁性层；在第一磁性层上形成的包括绝缘层和导电层的间隔层，该导电层穿过绝缘层并传导电流；和在形成的间隔层上形成的第二磁性层，该第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。
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公开(公告)号：CN101325243A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810108891.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN100388358C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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公开(公告)号：CN101174669A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710147403.9
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B2005/0002 , G11C11/16 , H01L43/08 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种能获得MR变化率高、并能期待与高记录密度对应的磁阻效应元件以及利用该元件的磁头、磁记录再生装置及磁性随机存取存储器。所述元件具有：固定磁化方向的第1磁性层；固定磁化方向的第2磁性层；设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的中间层；以及对包括所述第1磁性层、所述中间层、所述第2磁性层的层叠膜的膜面垂直地通电的电极，所述中间层具有绝缘体区域和包括Fe、Co、Ni、Cr中至少一种的金属区域，使所述金属区域与所述第1及第2磁性层接触由此制成磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN100343899C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510053078.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/325
Abstract: 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。
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