公开(公告)号：CN106531790A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610064455.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/778 ,  H01L29/205

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。

公开(公告)号：CN106206708A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510297232.2

申请日：2015-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  大麻浩平 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置(1)包括：第1半导体层(11)，设置在基板上；第2半导体层p型杂质的氮化物半导体；第3半导体层(13)，设置在第2半导体层(12)上，包含非掺杂的氮化物半导体；第4半导体层(15)，设置在第3半导体层(13)上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层(16)，设置在第4半导体层(15)上，包含带隙比第4半导体层(15)大的氮化物半导体。(12)，设置在第1半导体层(11)上，包含掺杂有

公开(公告)号：CN106206707A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510296856.2

申请日：2015-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  大麻浩平 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在第2半导体层上，电阻比第2半导体层大；第4半导体层，设置在第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在第4半导体层上，包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体。

公开(公告)号：CN105304783A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510013137.5

申请日：2015-01-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矶部康裕 ,  杉山直治

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7786

Abstract: 根据本发明的一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有Al的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置于所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。

公开(公告)号：CN105990417A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510093186.4

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大麻浩平 ,  吉冈启 ,  矶部康裕

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使耐压提高的半导体装置。根据实施方式，提供一种半导体装置，其包含第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层、设置在第二半导体层上的源极电极及漏极电极、栅极电极、以及第一场板电极。第二半导体层包含第一半导体部分、及薄于第一半导体部分的第二半导体部分。源极电极及漏极电极与第二半导体层电连接。栅极电极在源极电极与漏极电极之间设置在第二半导体层上。第一场板电极设置在第二半导体层上，且包含导电部。导电部在沿着从第一半导体层向第二半导体层的第一方向观察时，设置在栅极电极与漏极电极之间。导电部的端部的至少一部分位于第二半导体部分上。

公开(公告)号：CN104916704A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453135.3

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矶部康裕 ,  杉山直治

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有蓄积有压缩应力的GaN的半导体装置。实施方式的半导体装置包含GaN层、及AlXGa1-XN层；所述AlXGa1-XN层与所述GaN层接触地设于所述GaN层上，且含有C，其中0≤X＜1。