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公开(公告)号：CN100385598C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200380104342.8
申请日：2003-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J11/02
Abstract: 本发明的等离子体显示面板在第1基板上大致平行地配置了多个由第1电极和第2电极构成的1对显示电极，与上述第1基板相对置的第2基板上，在与上述显示电极的较长方向垂直的方向上配设了第3电极，相邻第3电极之间形成有间隔壁，其特征在于，相邻显示电极之间的附近，在与上述间隔壁或第1基板一侧的上述间隔壁的相对置的壁面上配设了第4电极，该第4电极电气地暴露在由上述间隔壁形成的放电空间。
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公开(公告)号：CN101042970A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710096611.0
申请日：2003-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J17/49
Abstract: 一种形成了由MgO组成的电介质保护层(14)和红色、绿色和蓝色的各个荧光体层(25R，25G以及25B)的等离子体显示面板，其中所有的荧光体层不含有IV族元素，过渡金属，碱金属或碱土类金属，或者规定在所有的荧光体层中IV族元素，过渡金属，碱金属或碱土类金属的含有比率。由此可以抑制电介质保护层(14)的阻抗随时间变化，或者能使上述变动的方向性一致，能抑制等离子体显示面板的黑噪声的发生。
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公开(公告)号：CN1745408A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200380109322.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/294 , G09G2310/0218 , G09G2330/025
Abstract: 本发明的目的在于提供一种PDP显示装置及其驱动方法，不会使装置的成本上升，而且，通过抑制维持期间流过扫描电极和维持电极的放电电流的峰值，可以提高显示质量。因此，本发明的PDP显示装置在维持期间T3中，显示驱动部20以向电极对(扫描电极SCN和维持电极SUS)施加的脉冲300、310的电压达到所要的电位的时刻作为基准，对多个第3电极施加维持数据脉冲320，以使至少一对相邻的第3电极D之间的电压波形的上升开始的时间相对该基准有所不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1717767A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380101854.9
申请日：2003-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J11/02
Abstract: 一种形成了由MgO组成的电介质保护层(14)和红色、绿色和蓝色的各个荧光体层(25R，25G以及25B)的等离子体显示面板，其中所有的荧光体层不含有IV族元素，过渡金属，碱金属或碱土类金属，或者规定在所有的荧光体层中IV族元素，过渡金属，碱金属或碱土类金属的含有比率。由此可以抑制电介质保护层(14)的阻抗随时间变化，或者能使上述变动的方向性一致，能抑制等离子体显示面板的黑噪声的发生。
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公开(公告)号：CN1501427A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116572.8
申请日：2003-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的课题是一种从因包含稀有气体的放电介质中的放电而产生的紫外线中得到可见光的发光元件，在将上述放电介质密封起来的容器内存在荧光体，在上述容器内，上述荧光体存在于上述紫外线或上述荧光体的发光光到达的第1区域中，并有暴露于上述放电介质中的光催化剂。
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公开(公告)号：CN1082254C
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN96111130.5
申请日：1996-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L31/06 , H01L21/00
CPC classification number: H01L31/0547 , H01L31/02363 , H01L31/035227 , Y02E10/52
Abstract: 一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30～40μm的P型硅结构体。借助使用POCl3的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟-锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的Al构成的上部分电极形成在透明电极上。
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公开(公告)号：CN1244948A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN98802095.5
申请日：1998-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/6606 , H01L21/046 , H01L29/1608 , H01L29/861 , Y10T29/41
Abstract: 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2,照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5,或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长,例如9—11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时,照射波长9.5—10μm的激光5。
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公开(公告)号：CN1237273A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98801248.0
申请日：1998-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/507 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法包括以下步骤:向真空室中供应源气;利用通过施加射频电源产生的射频感应耦合等离子体(ICP),通过等离子体分解来分解所供应的源气,并由利用所分解源气的化学汽相淀积工艺,在衬底上形成预定半导体薄膜,其中通过控制形成半导体薄膜期间衬底的加热温度,控制要形成的半导体薄膜的结晶条件。
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