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公开(公告)号：CN1237273A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98801248.0
申请日：1998-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/507 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法包括以下步骤:向真空室中供应源气;利用通过施加射频电源产生的射频感应耦合等离子体(ICP),通过等离子体分解来分解所供应的源气,并由利用所分解源气的化学汽相淀积工艺,在衬底上形成预定半导体薄膜,其中通过控制形成半导体薄膜期间衬底的加热温度,控制要形成的半导体薄膜的结晶条件。
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