公开(公告)号：CN1147156A

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN96111130.5

申请日：1996-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 澁谷宗裕 ,  北川雅俊 ,  向井裕二 ,  吉田哲久

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30-40μm的P型硅结构体，借助使用POCl3的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟—锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的A1构成的上部分电极形成在透明电极上。

公开(公告)号：CN1082254C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96111130.5

申请日：1996-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 澁谷宗裕 ,  北川雅俊 ,  向井裕二 ,  吉田哲久

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30～40μm的P型硅结构体。借助使用POCl3的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟-锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的Al构成的上部分电极形成在透明电极上。

公开(公告)号：CN1237273A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN98801248.0

申请日：1998-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北川雅俊 ,  吉田哲久 ,  澁谷宗裕 ,  菅井秀郎

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/507 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法包括以下步骤:向真空室中供应源气;利用通过施加射频电源产生的射频感应耦合等离子体(ICP),通过等离子体分解来分解所供应的源气,并由利用所分解源气的化学汽相淀积工艺,在衬底上形成预定半导体薄膜,其中通过控制形成半导体薄膜期间衬底的加热温度,控制要形成的半导体薄膜的结晶条件。