公开(公告)号：CN1475029A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。

公开(公告)号：CN1461047A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03128623.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

公开(公告)号：CN1326219A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01104348.2

申请日：2001-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804

Abstract: 一种有机膜的腐蚀方法,使用以含碳、氢以及氮的化合物为主要成分的腐蚀气体所生成的等离子对有机膜进行腐蚀。通过该腐蚀方法使有机膜上的凹部截面成为垂直形状或正锥形形状。