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公开(公告)号：CN114423883B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980098097.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 对于本发明的α－Ga2O3系半导体膜，在测定平面阴极发光的强度映射的各测定点处求出波长250nm以上365nm以下的范围内的最大发光强度A，并求出全部测定点的最大发光强度A按从大到小排序时的前5％的平均值X，此时，存在最大发光强度A为X的0.6倍以下的测定点(暗斑)。
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公开(公告)号：CN111278792B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880055098.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111
Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
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公开(公告)号：CN114423883A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201980098097.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 对于本发明的α－Ga2O3系半导体膜，在测定平面阴极发光的强度映射的各测定点处求出波长250nm以上365nm以下的范围内的最大发光强度A，并求出全部测定点的最大发光强度A按从大到小排序时的前5％的平均值X，此时，存在最大发光强度A为X的0.6倍以下的测定点(暗斑)。
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公开(公告)号：CN107074659B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580048144.7
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115
Abstract: 本发明的透明氧化铝的制法包括以下工序：(a)将包含纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末调制成该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1为5ppm以上，将包含所述氧化铝原料粉末的成型用原料成型，制成成型体；(b)将所述成型体于F挥发的温度进行加压烧成，由此得到透明氧化铝烧结体。
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公开(公告)号：CN107001148B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580047884.9
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G02B1/00
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为90％以上，该c晶面取向度是使用对板面照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱利用Lotgering法求出的，使用Ar+离子束和屏蔽板对在与板面垂直的方向切断而得到的截面进行研磨后利用扫描型电子显微镜以倍率5000倍进行查看时的气孔的数量为零，Mg、C以外的杂质元素的合计的质量比例为100ppm以下。该氧化铝烧结体为高取向、高密度、高纯度，因此，具有比以往高的透光性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105658849B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN108137411A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680050576.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
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公开(公告)号：CN105556685B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201580001916.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN108025981A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680050865.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G02B1/02
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5％以上，且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，用D－SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长300nm～1000nm处的直线透过率较高，透明性优异。
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公开(公告)号：CN107074659A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048144.7
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115
Abstract: 本发明的透明氧化铝的制法包括以下工序：(a)将包含纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末调制成该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1为5ppm以上，将包含所述氧化铝原料粉末的成型用原料成型，制成成型体；(b)将所述成型体于F挥发的温度进行加压烧成，由此得到透明氧化铝烧结体。
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