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公开(公告)号：CN110770891A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880041614.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊-拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。
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公开(公告)号：CN115995374B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210702212.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，减少了其对晶片的均热性的影响。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、接合层(40)、附带有台阶的孔(81)、附带有台阶的绝缘管(84)、以及供电端子(82)。附带有台阶的孔(81)具有细径的孔上部(81a)、粗径的孔下部(81b)及孔台阶部(81c)，孔上部(81a)从冷媒流路(31)的形成区域(37)通过。附带有台阶的绝缘管(84)插入于附带有台阶的孔(81)，且具有细径的管上部(84a)、粗径的管下部(84b)及管台阶部(84c)。供电端子(82)的上端与电极(27)接合。
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公开(公告)号：CN119547186A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202280006079.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10为：半导体制造装置用部件的一例，其具备：陶瓷板20、陶瓷板贯通孔24、基板30、基板贯通孔34、绝缘套筒50、以及套筒贯通孔54。套筒贯通孔54沿着上下方向贯穿绝缘套筒50，且与陶瓷板贯通孔24连通。绝缘套筒50借助粘接层60而被粘接于基板贯通孔34。绝缘套筒50具有：能够与外部工具卡合的工具卡合部(内螺纹部52)。工具卡合部卡合于外部工具时，将外部工具的旋转扭矩传递到绝缘套筒50。
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公开(公告)号：CN119365972A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202280006014.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶片载放台10具备：上部基材20、下部基材30、贯通孔36、螺孔24、以及螺纹部件50。上部基材20具备内置有电极22的陶瓷基材21，且在陶瓷基材21的上表面具有晶片载放面21a。下部基材30配置于上部基材20的与晶片载放面21a相反一侧的面，且具备构成冷媒流路32的侧壁及底的冷媒流路沟34。贯通孔36以与冷媒流路32交叉的方式沿着上下方向贯穿下部基材30。螺孔24设置于上部基材20的下表面的与贯通孔36对置的位置。螺纹部件50自下部基材30的下表面插入于贯通孔36，并旋合于螺孔24。冷媒构成为不会从贯通孔36漏出到下部基材30的下表面。
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公开(公告)号：CN116564779A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211088070.8
申请日：2022-09-07
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供晶片载放台及采用了该晶片载放台的半导体制造装置用部件。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其在上表面具有晶片载放面(22a)且内置有电极(晶片吸附用电极(26))；冷却基材(30)，其设置于陶瓷基材(20)的下表面；以及冷媒流路沟(32)，其按在冷却基材(30)的下表面呈开口的方式设置于冷却基材(30)。
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公开(公告)号：CN116504707A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211257466.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。半导体制造装置用部件(10)具有：陶瓷板(20)、多孔质插塞(50)、绝缘盖(56)以及细孔(58)。陶瓷板(20)在上表面具有晶片载放面(21)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)，且容许气体流通。绝缘盖(56)设置成与多孔质插塞(50)的上表面接触，且在晶片载放面(21)露出。细孔(58)在绝缘盖(56)设置有多个，且沿着上下方向贯穿绝缘盖(56)。
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公开(公告)号：CN116504706A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211197255.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，在具备容许气体流通的多孔质插塞的半导体制造装置用部件的基础上，抑制杂质混入于晶片，并且，抑制气体的流通阻力增大。半导体制造装置用部件(10)具备：在上表面具有晶片载放面(21)的陶瓷板(20)、以及容许气体流通的多孔质插塞(50)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)。多孔质插塞(50)具有：在晶片载放面(21)露出的第一多孔质部(51)、以及上表面由第一多孔质部51覆盖的第二多孔质部(52)。第一多孔质部(51)与第二多孔质部(52)相比，纯度高且厚度薄。第二多孔质部(52)与第一多孔质部(51)相比，气孔率高。
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公开(公告)号：CN116364627A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211327527.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)；金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材)，它们设置于陶瓷板(20)的下表面；第一孔(24)，其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)；以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔)，它们沿着上下方向贯穿导电性部件，且与第一孔(24)连通。致密质的绝缘壳体(60)具有在下表面呈开口的有底孔(64)，且配置于第一孔(24)及第二孔。多个细孔沿着上下方向贯穿有底孔(64)的底部。多孔质插塞(50)配置于有底孔(64)而与底部接触。
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公开(公告)号：CN115985743A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210678777.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其抑制晶片产生热点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及多个孔(例如气体孔(44)、端子孔(51))。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)，且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)与陶瓷基材(20)的下表面接合，且具有冷媒流路(32)。气体孔(44)、端子孔(51)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)。在这些孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路(32)的冷媒与载放于晶片载放面(22a)的晶片(W)之间的热交换的热交换促进部(例如流路变细的部分(32a))。
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公开(公告)号：CN115966449A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211052075.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其课题在于，在具备冷媒流路的晶片载放台的基础上，防止由热应力所导致的破损。晶片载放台(10)是具备供冷媒流通的冷媒流路的晶片载放台，其中，该晶片载放台(10)具备：上部基材(12)，其具备内置有电极(26)的陶瓷基材(20)，且在陶瓷基材(20)的上表面具有晶片载放面(22a)；下部基材(80)，其上表面设置有构成冷媒流路的侧壁及底部的流路沟(88)；以及密封部件(16)，其配置于上部基材(12)与下部基材(80)之间，以将冷媒流路(18)与外部之间密封。
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