公开(公告)号：CN119301526A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043532.0

申请日：2023-06-06

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 清水祥 ,  井形航维 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有羟基的聚合物(A)、在阳离子部含有羟基的光产酸剂(B)、能够与羟基反应的交联剂(C)和溶剂(D)。

公开(公告)号：CN115053184B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202180013074.7

申请日：2021-02-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 清水祥 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08F8/30

Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述组合物为(甲基)丙烯酸类聚合物的侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，而且还包含有机溶剂的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中不包含上述(甲基)丙烯酸类聚合物以外的聚合物。上述有机基团为具有被保护基取代的氨基或被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。

公开(公告)号：CN118922783A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380030019.8

申请日：2023-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  清水祥 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/17 ,  C08L101/00 ,  C08L101/02

Abstract: 一种刷形成用组合物，其用于使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层的所述嵌段共聚物相分离，其中，所述刷形成用组合物含有刷状聚合物、有机碱和溶剂。

公开(公告)号：CN118276405A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410452510.6

申请日：2022-01-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 加藤祐希 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/00 ,  C08G63/688

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116806328A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280011863.1

申请日：2022-01-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示4价的有机基团，R2表示碳原子数为2～10的烯基或炔基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110366768B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880014924.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  田村护 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗

IPC: H01L21/02 ,  C09D179/08 ,  C09D201/00

Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。

公开(公告)号：CN116157447A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180060511.0

申请日：2021-07-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  加藤祐希 ,  田村护

IPC: C08G73/00

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含反应产物、及有机溶剂，所述反应产物是(A)具有2个环氧基的含乙内酰脲的化合物和(B)与(A)不同的含乙内酰脲的化合物的反应产物。优选上述反应产物是(B)含乙内酰脲的化合物所具有的仲氨基与(A)含乙内酰脲的化合物所具有的环氧基的反应产物。

公开(公告)号：CN115668464A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180040825.4

申请日：2021-06-04

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  清水祥 ,  田村护

IPC: H01L21/312 ,  C08F222/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  C08F212/04

Abstract: 本发明提供显示出对疏水性溶剂良好的溶解性、在不使形成于基板上的包含嵌段共聚物的层溶解、溶胀等的情况下能够引起嵌段共聚物的垂直取向的上层膜形成用组合物。该上层膜形成用组合物是用于使形成于基板上的包含嵌段共聚物的层进行相分离的上层膜形成用组合物，其中包含(A)共聚物，所述共聚物包含(a)源自马来酰亚胺结构的单元结构及源自苯乙烯结构的单元结构、和(B)作为溶剂的在常温常压下为液态的非芳香族烃化合物。

公开(公告)号：CN109843852A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780062564.X

申请日：2017-10-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 田村护 ,  绪方裕斗 ,  臼井友辉 ,  岸冈高广

IPC: C07C233/43 ,  C07C233/54 ,  C07C235/16 ,  C07C317/40 ,  C08G59/52 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供能够获得特别是在KrF工艺中发挥充分的防反射功能、高耐溶剂性和干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、并可以形成良好的截面形状的光致抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含共聚物，所述共聚物包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，(式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示-COOH、或-L-NHCO-Z-COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基)。