公开(公告)号：CN114068308A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202210047359.9

申请日：2022-01-17

Applicant: 季华实验室

Inventor： 黄吉裕 ,  毛朝斌 ,  戴科峰 ,  仇礼钦 ,  高桑田 ,  罗骞

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/165

Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。

公开(公告)号：CN114032612A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111348403.1

申请日：2021-11-15

Applicant: 季华实验室

Inventor： 仇礼钦 ,  戴科峰 ,  黄吉裕 ,  高桑田 ,  唐卓睿 ,  罗骞

IPC: C30B25/16

Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。