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公开(公告)号：CN103765306B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280037025.8
申请日：2012-08-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1333 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，为了抑制像素电极与源极线间的串扰从而减少闪烁，包括：设置成格子状的栅极线(102)和源极线(105)；像素电极(111)，其与栅极线(102)和源极线(105)的交叉位置对应地设置成矩阵状；透明辅助电容电极(109)；开关元件(121)，其根据从栅极线(102)赋予的扫描信号，将从源极线(105)供给的图像信号电压施加至像素电极(111)，所述开关元件(121)使用氧化物半导体层(104)构成，透明辅助电容电极(109)设置于源极线(105)与像素电极(111)之间。
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公开(公告)号：CN104205341A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380018474.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/32051 , H01L21/76823 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/1225 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。
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公开(公告)号：CN103250202B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280004022.4
申请日：2012-07-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/36 , G09G3/3614 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2310/0213 , G09G2310/0218 , G09G2310/0297 , G09G2320/0219 , G09G2330/023
Abstract: 提供降低功耗的SSD方式的显示装置。选择电路（400）包括k个选择块（410（1）～410（k））。各选择块包括3个薄膜晶体管。对这3个薄膜晶体管的栅极端子分别提供3相的选择控制信号（CT）。在扫描期间（T1）之后设置停止期间（T2）。在停止期间（T2），根据停止期间频率（fck2）的选择控制信号（CT），各选择块中的3个薄膜晶体管成为导通状态。停止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。
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公开(公告)号：CN101803031A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107582.6
申请日：2008-05-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/127 , H01L21/26513 , H01L27/1214 , H01L27/1237 , H01L29/105
Abstract: 本发明提供一种能够抑制泄露电流的产生的半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明是具有在基板的一方主面侧按顺序层叠了半导体层、绝缘膜以及栅极电极的构造的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括添加工序，在该添加工序中，对半导体层的至少与栅极电极相对的区域添加杂质，使得半导体层的端部的与栅极电极相对的区域的杂质浓度大于半导体层的端部以外的与栅极电极相对的区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105765729B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201480064634.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN104103668B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN103718140B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201280036615.9
申请日：2012-07-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G09G3/3648 , G09G2356/00
Abstract: 显示部的每像素所具备的有源元件的半导体层由包含选自In、Ga、Zn的至少一种元素的氧化物层形成，具备进行第1设定和第2设定中的至少任一方的设定的液晶面板的时序控制器（13），上述第1设定是将进行图像数据的写入的第1期间设定为上述第2期间的2倍以下，上述第2设定是将1帧期间的长度设定为比16.7毫秒长。
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公开(公告)号：CN104396019B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380032605.2
申请日：2013-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。
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