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公开(公告)号：CN1574366A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044696.4
申请日：2004-05-20
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L21/8239 , G06K19/07
CPC分类号： H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L29/7923
摘要： 一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。
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公开(公告)号：CN110301088B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201880011506.9
申请日：2018-01-29
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H02M3/28
摘要： 电源装置(1)具有与变压器(TR1)的初级绕组连接的初级侧电路(10)以及与变压器(TR1)的次级绕组连接的次级侧电路(20)。初级侧电路(10)包含MOSFET：(Q1～Q4)，次级侧电路(20)包含整流从变压器(TR1)的初级侧传输的电能的MOSFET：(Q5、Q6)和蓄积被整流的电能的电容器(C1)。在将MOSFET：(Q1～Q4)从截止状态切换为导通状态之前，以MOSFET：(Q1～Q4)的源‑漏极间电压降低的方式，次级侧电路(20)进行使电容器(C1)放电并使电流流过变压器(TR1)的次级绕组的放电的动作。由此，提供一种即使在低输出时也具有高的功率转换效率的电源装置。
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公开(公告)号：CN103190004B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y115/10
CPC分类号： H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要： 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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公开(公告)号：CN103443618B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280012771.1
申请日：2012-02-09
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G01N27/00
CPC分类号： G01N27/44743
摘要： 一种电场产生装置，其特征在于，具备：注入有液体的容器；以分别使至少一部分浸在注入到所述容器的液体的方式空开规定的间隔配置的第一电极及第二电极；以及与所述第一电极及第二电极连接，在两电极间施加不对称的交流的交流产生器，所述交流产生器使所述液体中产生实质上从所述第一电极朝向第二电极的电场或实质上从所述第二电极朝向第一电极的电场中的任一方的电场。
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公开(公告)号：CN103443618A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280012771.1
申请日：2012-02-09
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G01N27/00
CPC分类号： G01N27/44743
摘要： 一种电场产生装置，其特征在于，具备：注入有液体的容器；以分别使至少一部分浸在注入到所述容器的液体的方式空开规定的间隔配置的第一电极及第二电极；以及与所述第一电极及第二电极连接，在两电极间施加不对称的交流的交流产生器，所述交流产生器使所述液体中产生实质上从所述第一电极朝向第二电极的电场或实质上从所述第二电极朝向第一电极的电场中的任一方的电场。
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公开(公告)号：CN102097446B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010521005.0
申请日：2010-10-22
申请人： 夏普株式会社
摘要： 本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。
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公开(公告)号：CN101388396B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810169775.6
申请日：2002-11-18
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26
CPC分类号： H01L29/66833 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/118 , H01L27/1203 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体存储器件，它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极，以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元，本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。
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公开(公告)号：CN102097446A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010521005.0
申请日：2010-10-22
申请人： 夏普株式会社
摘要： 本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。
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公开(公告)号：CN102074631A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010516174.5
申请日：2010-10-19
申请人： 夏普株式会社
摘要： 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
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公开(公告)号：CN100524769C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510087825.2
申请日：2005-06-03
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/788 , H01L21/8239 , H01L21/336
摘要： 一种半导体存储装置，在半导体衬底上，具有通过栅极绝缘膜形成的单一栅电极以及在栅电极两侧形成的第1、第2存储器功能体。在半导体衬底的栅电极侧表面部形成P型沟道区域，在沟道区域两侧形成N型第1、第2扩散区域。沟道区域由位于第1、第2存储器功能体下的偏移区域和位于栅电极下的栅电极下区域构成。赋予偏移区域P型导电型的杂质浓度有效地稀于赋予栅电极下区域P型导电型的杂质的浓度。因此，可以实现栅电极的薄膜化，提供易于精细化的半导体存储装置。
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