公开(公告)号：CN102185003A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110094530.3

申请日：2011-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  王玮 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4214 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/304 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN102157548A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110037951.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于石墨烯层的场效应晶体管。石墨烯是一种禁带宽度几乎为零的半金属/半导体材料，其禁带宽度可以通过改变形状来调节。本发明采用石墨烯与绝缘介质的叠层来作为晶体管的沟道材料，可以克服短沟道效应问题，本发明同时还使用了隧穿率调制，克服了硅基器件难以继续缩小的问题，可以使器件尺寸做的更小。