公开(公告)号：CN101483185A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910002016.5

申请日：2009-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·拉耶恩德兰 ,  甯德雄 ,  林仲汉

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

Abstract: 公开了一种结合整个存储器单元形成的具有双极结型晶体管(BJT)存取器件的阻性非易失性存储器单元。该存储器单元包括用作集电极的衬底，用作基极的半导体基础层，和用作发射极的半导体发射极层。另外，金属插塞和相变存储器元件形成在BJT存取器件的上方，而发射极、金属插塞和相变存储器单元被包含在绝缘区内。在本发明的一个实施例中，形成间隔物层且发射极层被包含在保护性间隔物层内。该间隔物层被包含在所述绝缘区内。

公开(公告)号：CN101286547A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810091712.3

申请日：2008-04-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈冠能 ,  林仲汉

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L23/525 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/90 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括与加热材料集成的两个可编程过孔，其中每个可编程过孔包含相变材料。具体地，本发明提供一种结构，其中每个都包含相变材料的两个可编程过孔位于加热材料的相反面上。加热材料的上表面的每个端部与金属端子相连。与加热材料的上表面的端部接触的这些金属端子中的每个金属端子可被连接到控制和切换这两个可编程过孔的电阻状态的外部组件。本发明结构的两个可编程过孔的每一个连接到另一金属端子。也可以将与可编程过孔相关联的这些金属端子连接到可存在于该结构中的电路块上。

公开(公告)号：CN101276880A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810001978.4

申请日：2008-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龙翔澜 ,  林仲汉 ,  马修·J.·布雷维什 ,  阿里间德罗·G.·施罗特 ,  埃里克·A.·约瑟夫 ,  罗格·W.·齐克

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 存储单元及制造存储单元的方法，其包括沉积于基片上的绝缘材料、形成于绝缘材料内的底电极、沉积于底电极上并且其中的至少一个充当中间绝缘层的多个绝缘层。通孔被限定于中间绝缘层上的绝缘层内。沟道与牺牲分隔件一起产生，用于刻蚀。孔被限定在中间绝缘层内。除去中间绝缘层上的所有绝缘层，用相变材料填充整个残留的孔。在相变材料上形成上电极。