公开(公告)号：CN102270581A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110145381.9

申请日：2011-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 甯德雄 ,  章贞

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/456 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及低电阻接触结构及其形成方法。一种在半导体器件中形成低电阻接触结构的方法，包括：在半导体衬底中形成掺杂的半导体区域；在所述掺杂的半导体区域的上部处形成深能级杂质区域；通过退火激活所述掺杂的半导体区域和所述深能级杂质区域二者中的掺杂剂；以及在所述深能级杂质区域之上形成金属接触以在其之间产生金属-半导体界面。

公开(公告)号：CN101483185B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910002016.5

申请日：2009-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·拉耶恩德兰 ,  甯德雄 ,  林仲汉

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

Abstract: 公开了一种结合整个存储器单元形成的具有双极结型晶体管(BJT)存取器件的阻性非易失性存储器单元。该存储器单元包括用作集电极的衬底，用作基极的半导体基础层，和用作发射极的半导体发射极层。另外，金属插塞和相变存储器元件形成在BJT存取器件的上方，而发射极、金属插塞和相变存储器单元被包含在绝缘区内。在本发明的一个实施例中，形成间隔物层且发射极层被包含在保护性间隔物层内。该间隔物层被包含在所述绝缘区内。

公开(公告)号：CN101483185A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910002016.5

申请日：2009-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·拉耶恩德兰 ,  甯德雄 ,  林仲汉

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

Abstract: 公开了一种结合整个存储器单元形成的具有双极结型晶体管(BJT)存取器件的阻性非易失性存储器单元。该存储器单元包括用作集电极的衬底，用作基极的半导体基础层，和用作发射极的半导体发射极层。另外，金属插塞和相变存储器元件形成在BJT存取器件的上方，而发射极、金属插塞和相变存储器单元被包含在绝缘区内。在本发明的一个实施例中，形成间隔物层且发射极层被包含在保护性间隔物层内。该间隔物层被包含在所述绝缘区内。