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公开(公告)号:CN103035587A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210530554.3
申请日:2012-12-11
CPC classification number: H01L2224/46 , H01L2224/4805 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种大功率IGBT模块封装结构,所述结构包括底板、覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层、环氧树脂层和双绞软连线;所述底板、凝胶层和环氧树脂层从下到上依次分布,所述覆铜陶瓷基板的上下表面分别与半导体芯片和底板焊接,所述覆铜陶瓷基板和半导体芯片均封装在所述凝胶层内部,所述功率电极穿过环氧树脂层和凝胶层与覆铜陶瓷基板相连,所述控制电极通过环氧树脂层紧固,其通过双绞软连线与覆铜陶瓷基板的焊盘或直接与半导体芯片连接。本发明通过增加环氧树脂层增加了IGBT模块的气密性,同时对控制电极可起到紧固支撑的作用,从而简化了控制电极结构,同时便于覆铜陶瓷基板上半导体芯片的布局设计。
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公开(公告)号:CN105489645B
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201510960378.0
申请日:2015-12-18
IPC: H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线,所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子;所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层;所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子;所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境,在驱动回路中引入的杂散电感更低,可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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公开(公告)号:CN105355614B
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201510835539.3
申请日:2015-11-26
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种预封装单芯片及其制备工艺,所述预封装单芯片包括外壳,位于芯片两面的大小钼片,其侧面的键和线以及引脚,所述的预封装单芯片的制备工艺包括如下步骤:1)以烧结或焊接方式将芯片与两面分别设置的大小钼片连接;2)芯片的栅极和发射极上分别设置与引脚对应连接的键合线;3)封装。本发明的预封装单芯片可以方便地进行性能测试,避免了环境对芯片造成的污染和损坏,且不会对其性能造成影响,经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件,便于标准化生产。
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公开(公告)号:CN105514095B
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201510959099.2
申请日:2015-12-18
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上分布有凹槽,每个凹槽中容纳一凸台,所述凸台底部为向上凹陷的凹面;所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小,对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低,提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号:CN109979826A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201711462442.8
申请日:2017-12-28
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/50 , H01L29/739 , H01L21/67 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种功率芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法,该方法包括:从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中;组装限位销压制压片;用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构;从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构,得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉,能够大规模烧结芯片,极大地缩短了工序时长,效率高,速度快;本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片,解决了芯片与钼片烧结后的对中问题,并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。
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公开(公告)号:CN108107314A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711339956.4
申请日:2017-12-14
Applicant: 国家电网公司 , 国网河北省电力公司 , 河北省送变电有限公司
IPC: G01R31/06
Abstract: 本发明涉及一种电流互感器极性测试装置,属于电力系统测试设备技术领域。一种电流互感器极性测试装置,包括用于产生脉冲信号的单片机控制系统、功率放大器以及万用表;单片机控制系统的输出端与功率放大器的输入端连接,功率放大器的输出端连接到电流互感器穿过的一次设备的导线两端,万用表连接电流互感器的二次出线两端。本发明使用单片机控制系统或干电池控制电路自动产生脉冲信号使电流互感器产生感应电流,通过万用表的指针偏向判断电流互感器的极性,该装置操作简单,自动化程度高;能够保证测试的准确性,使用该装置能够大幅降低工作人员的劳动强度,测试时间也相应降低,测试效率提高,该装置测试准确率能够达到100%。
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公开(公告)号:CN107305886A
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201610262592.3
申请日:2016-04-25
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L25/11 , H01L23/528
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L25/115 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块,包括功率子单元、金属电极板和外部管壳;金属电极板设置在外部管壳的底部;外部管壳包括两列方形框架;两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架;功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触,其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片;辅助栅极PCB板设置在条状框架内;金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比,本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块,既有利于功率半导体器件的串联,同时不需要太大的钳位压力,降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。
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公开(公告)号:CN105731237B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201610285557.3
申请日:2016-04-29
Applicant: 国网山东省电力公司平原县供电公司 , 国家电网公司
IPC: B66C1/02
Abstract: 本发明公开了一种机房多功能静电地板吸盘,包括立管,所述立管的底端设置横管,所述横管的底端设置吸盘支架,所述吸盘支架的底端设置吸盘,所述横管内设置横杆,所述横杆与横管滑动连接,所述横杆上设置数量、位置与吸盘相对应的传动杆,所述传动杆远离横杆的一端设置金属盘,所述金属盘与吸盘连接,所述横杆远离吸盘的一侧设置操作杆,所述多功能静电地板吸盘还包括用于固定操作杆的限位装置。本发明的有益效果在于:吸盘和立管相互配合使用,可以随时掀起地板,不需要采用撬棍或螺丝刀进行撬动,也不需要工作人员弯腰工作,能方便、快速的完成地板的移动工作,节省了人力和时间,提高了劳动效率,同时减少了对地板损坏。
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公开(公告)号:CN106483441A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610843020.4
申请日:2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统,所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型;在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布;依据耦合热应力后的有限元模型,仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布;测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布;确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比,本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统,通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。
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公开(公告)号:CN103579165B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201310538589.6
申请日:2013-11-04
IPC: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC classification number: H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件,具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触,消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比,芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供,有效提高器件串联使用时的紧固力,不再受功率芯片压力承受极限的限制,满足多个器件串联使用的要求。
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