一种大功率IGBT模块封装结构

    公开(公告)号:CN103035587A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210530554.3

    申请日:2012-12-11

    Abstract: 本发明提供一种大功率IGBT模块封装结构,所述结构包括底板、覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层、环氧树脂层和双绞软连线;所述底板、凝胶层和环氧树脂层从下到上依次分布,所述覆铜陶瓷基板的上下表面分别与半导体芯片和底板焊接,所述覆铜陶瓷基板和半导体芯片均封装在所述凝胶层内部,所述功率电极穿过环氧树脂层和凝胶层与覆铜陶瓷基板相连,所述控制电极通过环氧树脂层紧固,其通过双绞软连线与覆铜陶瓷基板的焊盘或直接与半导体芯片连接。本发明通过增加环氧树脂层增加了IGBT模块的气密性,同时对控制电极可起到紧固支撑的作用,从而简化了控制电极结构,同时便于覆铜陶瓷基板上半导体芯片的布局设计。

    一种预封装单芯片及其制备工艺

    公开(公告)号:CN105355614B

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201510835539.3

    申请日:2015-11-26

    Abstract: 本发明提供了一种预封装单芯片及其制备工艺,所述预封装单芯片包括外壳,位于芯片两面的大小钼片,其侧面的键和线以及引脚,所述的预封装单芯片的制备工艺包括如下步骤:1)以烧结或焊接方式将芯片与两面分别设置的大小钼片连接;2)芯片的栅极和发射极上分别设置与引脚对应连接的键合线;3)封装。本发明的预封装单芯片可以方便地进行性能测试,避免了环境对芯片造成的污染和损坏,且不会对其性能造成影响,经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件,便于标准化生产。

    一种电流互感器极性测试装置

    公开(公告)号:CN108107314A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711339956.4

    申请日:2017-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种电流互感器极性测试装置,属于电力系统测试设备技术领域。一种电流互感器极性测试装置,包括用于产生脉冲信号的单片机控制系统、功率放大器以及万用表;单片机控制系统的输出端与功率放大器的输入端连接,功率放大器的输出端连接到电流互感器穿过的一次设备的导线两端,万用表连接电流互感器的二次出线两端。本发明使用单片机控制系统或干电池控制电路自动产生脉冲信号使电流互感器产生感应电流,通过万用表的指针偏向判断电流互感器的极性,该装置操作简单,自动化程度高;能够保证测试的准确性,使用该装置能够大幅降低工作人员的劳动强度,测试时间也相应降低,测试效率提高,该装置测试准确率能够达到100%。

    机房多功能静电地板吸盘
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105731237B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201610285557.3

    申请日:2016-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种机房多功能静电地板吸盘,包括立管,所述立管的底端设置横管,所述横管的底端设置吸盘支架,所述吸盘支架的底端设置吸盘,所述横管内设置横杆,所述横杆与横管滑动连接,所述横杆上设置数量、位置与吸盘相对应的传动杆,所述传动杆远离横杆的一端设置金属盘,所述金属盘与吸盘连接,所述横杆远离吸盘的一侧设置操作杆,所述多功能静电地板吸盘还包括用于固定操作杆的限位装置。本发明的有益效果在于:吸盘和立管相互配合使用,可以随时掀起地板,不需要采用撬棍或螺丝刀进行撬动,也不需要工作人员弯腰工作,能方便、快速的完成地板的移动工作,节省了人力和时间,提高了劳动效率,同时减少了对地板损坏。

    一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统

    公开(公告)号:CN106483441A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610843020.4

    申请日:2016-09-22

    Abstract: 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统,所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型;在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布;依据耦合热应力后的有限元模型,仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布;测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布;确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比,本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统,通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。

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