公开(公告)号：CN104051486A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410087676.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简荣亮 ,  郑允玮 ,  郑易沂 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了具有圆形角结或包括多边形的角结的密封环结构。密封环环绕诸如集成电路、图像传感器和其他器件的通常为矩形的半导体器件。密封环包括两组通常平行的相对放置的边的结构，且角结是结，邻近的垂直密封环边在该结处连接。在不同的实施例中，密封环是沟槽结构或填充的沟槽结构。通过弯曲的弧线或多条以不同的角度连接在一起的线段形成圆形的角结。包括一个或多个封闭的多边形的角结包括多边形，该多边形的至少一条多边形边由密封环边中的一条形成。

公开(公告)号：CN113053929B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202010935575.8

申请日：2020-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢丰键 ,  郑允玮 ,  胡维礼 ,  李国政 ,  陈信吉

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法，半导体结构包括光电二极管，其中光电二极管包括具有第一导电类型掺杂的基板半导体层、与基板半导体层形成p‑n接面的第二导电类型光电二极管层、与第二导电类型光电二极管层侧向分隔的浮动扩散区域，以及传送栅极电极。传送栅极电极包括形成在基板半导体层中的传送栅极电极下部，且传送栅极电极下部位于第二导电类型光电二极管层和浮动扩散区域之间。传送栅极电极可侧向环绕p‑n接面，并提供增强的电子传输效率从p‑n接面到浮动扩散区域。光电二极管阵列可用于影像感测器中。

公开(公告)号：CN112599546B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202010837996.7

申请日：2020-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓雅骏 ,  郑允玮 ,  宋健铭

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括像素阵列，像素阵列包括第一像素及第二像素。半导体元件包括金属结构，金属结构上覆基板的在第一像素与第二像素之间的一部分。半导体元件包括邻近金属结构的侧壁的第一阻障层。半导体元件包括邻近第一阻障层的侧壁的钝化层。第一阻障层位于钝化层与金属结构之间。

公开(公告)号：CN113224091B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202110080169.2

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢丰键 ,  郑允玮 ,  胡维礼 ,  李国政 ,  陈英豪

IPC: H10F39/18

Abstract: 提供一种影像感测装置以及其制造方法。该方法包含在一基板上形成多个感光像素；在该基板上，沉积一介电质层；蚀刻该介电质层，在该介电质层中造成一第一凹槽，该第一凹槽横向地环绕这些感光像素；在该第一凹槽中，形成一挡光结构，而使该挡光结构横向地环绕这些感光像素。

公开(公告)号：CN117457695A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311571219.2

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  贾钧伟 ,  周俊豪 ,  李国政

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例提供了一种图像传感器，包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位晶体管的第二源极/漏极的第一源极/漏极。第一细长接触件接触复位晶体管的第二源极/漏极和源极跟随器晶体管的第一源极/漏极。第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸，并且在所述水平截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸，并且第二尺寸小于第一尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN116799020A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310556837.3

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢丰键 ,  郑允玮 ,  张评款 ,  李国政 ,  吴振铭

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/142 ,  H01L21/18

Abstract: 本申请公开了太阳能电池和图像传感器的集成。本公开提供了一种具有太阳能电池和图像传感器阵列的集成电路(IC)结构。根据本公开的集成电路结构包括：第一衬底，包括多个光电二极管；互连结构，设置在第一衬底上；第一接合层，设置在互连结构上；第二接合层，设置在第一接合层上；第二衬底，设置在第二接合层上；以及透明导电氧化物层，设置在第二衬底上。

公开(公告)号：CN116779629A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310992054.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  陈英豪 ,  贾钧伟

IPC: H01L27/146

Abstract: 半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中的每个还包括嵌入衬底中的应力释放沟槽结构，其中应力释放沟槽结构位于外围区域中，并且应力释放沟槽结构完全围绕多个传感器芯片的相应传感器芯片的像素阵列区域和接合焊盘区域的外周。本发明的实施例涉及半导体结构的形成方法。

公开(公告)号：CN113206115A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110143613.0

申请日：2021-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢丰键 ,  胡维礼 ,  李国政 ,  陈信吉 ,  郑允玮

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种操作装置的方法、半导体结构以及影像感测器，装置包括光电侦测器电路，此光电侦测器电路包括光电侦测器及感测电路，此光电侦测器及感测电路位于具有第一导电类型的掺杂的基板半导体层上方。光电侦测器包括：第二导电类型的钉扎光电二极管层，其与基板半导体层形成p‑n接面；至少一个浮动扩散区域，此浮动扩散区域与第二导电类型的钉扎光电二极管层的周边横向地间隔开；以及至少一个转移栅极。可通过将至少两个不同脉冲图案施加到至少一个转移栅极来执行至少两个不同操作。至少两个不同脉冲图案相互或彼此在以下至少一项上不同：脉冲持续时间、脉冲幅度以及施加到感测电路的控制信号与至少一个转移栅极的相应一者处的脉冲启动之间的延迟时间。

公开(公告)号：CN112599546A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010837996.7

申请日：2020-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓雅骏 ,  郑允玮 ,  宋健铭

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括像素阵列，像素阵列包括第一像素及第二像素。半导体元件包括金属结构，金属结构上覆基板的在第一像素与第二像素之间的一部分。半导体元件包括邻近金属结构的侧壁的第一阻障层。半导体元件包括邻近第一阻障层的侧壁的钝化层。第一阻障层位于钝化层与金属结构之间。

公开(公告)号：CN106972037B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201610910249.5

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  郑允玮 ,  李国政 ,  周俊豪 ,  许永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底、辐射传感区域、至少一个隔离结构以及掺杂的钝化层。辐射传感区域位于半导体衬底中。隔离结构位于半导体衬底中并且邻近辐射传感区域。掺杂的钝化层以基本上共形的方式至少部分地围绕隔离结构。本发明还提供了另一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法。