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公开(公告)号：CN119680943A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411803462.7
申请日：2024-12-09
Applicant: 嘉庚创新实验室
Abstract: 本发明提供了一种聚2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸在去除高镍NCM三元材料表面残锂中的应用，涉及高镍NCM三元材料表面处理技术领域。本发明针对现有采用高温煅烧或高浓度乙醇浸泡清洗去除NCM材料表面碳酸锂的方法所存在的对高镍NCM三元材料的结构和性能产生不利影响的问题，提出了使用聚2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸作为主要成分的清洗剂对高镍NCM三元材料的残锂进行清洗，经验证能够有效避免现有高温煅烧和高浓度乙醇浸泡清洗处理对高镍NCM三元材料的破坏，同时显著提升了高镍NCM三元材料的电化学性能。
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公开(公告)号：CN118763286A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411045156.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 嘉庚创新实验室
IPC: H01M10/0569 , H01M10/0567 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种电解液以及包含其的锂离子电池，涉及锂电池技术领域。所述电解液包括电解质盐、有机溶剂和稀释剂，其中：所述有机溶剂为包含氟化环状碳酸酯和氟化羧酸酯的氟化溶剂。本发明电解液利用包含氟化环状碳酸酯和氟化羧酸酯的氟化溶剂溶解电解质盐，通过氟原子的强吸电子性，提高了电解液阳极稳定性能；同时，氟化溶剂氧化分解后可产生富含LiF的界面层，可以增强界面层的机械性能，使锂金属电池具备耐高压性能。此外，本发明利用氟原子的强吸电子性，对环状碳酸酯和羧酸酯溶剂分子进行氟化修饰，实现了对锂离子溶剂化结构进行调控，进而也促进了锂离子在电解液体相和界面层的传输，使得锂电池具备快充性能。
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公开(公告)号：CN222126570U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420673678.5
申请日：2024-04-02
Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN219226293U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223602793.3
申请日：2022-12-30
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板，第一基板的一侧表面具有导电层组，导电层组包括间隔设置的第一导电层和第二导电层；位于第一基板的一侧的绝缘层，绝缘层中具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口位于第一导电层的上方，第二开口位于第二导电层的上方；位于第一开口中的第一键合层，第一键合层位于第一导电层的上表面；位于第二开口中的第二键合层，第二键合层位于第二导电层的上表面；Micro‑LED芯片，Micro‑LED芯片包括：P型电极和N型电极；P型电极与第一键合层接触，N型电极与第二键合层接触。所述显示面板可以避免第一导电层与第二导电层之间发生短路。
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公开(公告)号：CN117080366A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311272164.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01M10/42 , H01M4/62
Abstract: 一种钛酸锂/二氧化钛包覆的三元正极极片及其制备方法和用途，制备方法包括以下步骤：1)将三元材料、导电剂、粘结剂和溶剂混合，得到正极浆料；(2)将正极浆料涂覆于集流体表面，干燥，得到未包覆的三元正极极片；(3)将钛酸锂/二氧化钛材料以磁控溅射的方式包覆于步骤2)所述的未包覆的三元正极极片表面，得到所述钛酸锂/二氧化钛包覆的三元正极极片；本发明通过磁控溅射法在室温下就可以对三元材料进行钛酸锂/二氧化钛包覆，能够避免三元材料的还原与结构破坏，此外，钛酸锂/二氧化钛包覆还能有效地改善三元正极材料的循环性能及热稳定性，提高材料倍率性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471340A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110570218.0
申请日：2021-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电半导体领域，特别涉及一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro‑LED及其制备方法。所述micro‑LED自下而上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓层、p型有源层、绝缘层、电流扩展层以及金属纳米颗粒结构；金属纳米颗粒结构表面设有延伸至p型有源层表面的开口，以使p型有源层表面形成外露区域，外露区域表面设有p型欧姆接触电极，金属纳米颗粒结构的表面设有n型欧姆接触电极。本发明提供的micro‑LED能够有效提高器件的载流子复合速率和复合效率，且有效载流子寿命减小，使该器件的调制带宽大大增加，这将扩展该micro‑LED在光通信中的应用。
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公开(公告)号：CN113437191A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
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公开(公告)号：CN111048641A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN108428763A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN108428763B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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