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公开(公告)号：CN113292249B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113292249A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN118741987A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410277591.0
申请日：2024-03-12
IPC: H05K9/00
Abstract: 本申请公开了一种柔性透明高稳定性纳米线网络电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，涉及金属、磁性材料和半导体所构成的微观双界面壳层结构复合材料。所述纳米线网络复合材料为金属纳米线网络的多界面壳层结构，以金属纳米线为内核，于金属纳米线表面包裹磁性材料壳层，以及半导体材料壳层，以获得金属‑磁性‑半导体的双界面电磁多反射吸收异质结构。该新型纳米网络的多界面结构，利用不同功能材料界面的构成，对电磁波起到同时反射、折射、吸收的多重界面效应，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用。该薄膜不仅具有优越的电磁屏蔽性能，还满足电子设备对柔性透明性的特性要求，为电子设备领域带来前所未有的新应用。
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公开(公告)号：CN118731419A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749996.X
申请日：2024-06-12
Abstract: 本发明具体公开了一种适用于扫描隧道显微分析的薄层层状材料剥离的方法，包括以下步骤：取层状材料单晶块体置于两片PDMS薄膜之间，压紧贴实后撕掉一层PDMS薄膜，得到层状材料单晶块体/PDMS薄膜；取高真空导电胶涂于衬底表面，然后将所得层状材料单晶块体/PDMS薄膜的层状材料单晶块体表面与衬底压紧贴实，得到PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；将PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底加热使导电胶固化，加热结束后将PDMS薄膜撕掉，得到层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；取粘性胶带贴合于层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底的层状材料单晶块体的外表面，然后迅速撕掉胶带，重复该过程直到层状材料呈浅蓝色或接近透明。
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公开(公告)号：CN118431333A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410490284.0
申请日：2024-04-23
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H03K19/14 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种互补型自旋能谷光电晶体管，包括半导体沟道层、源电极、漏电极和自旋极化材料层；源电极和漏电极设于半导体沟道层上，自旋极化材料层位于半导体沟道层上方或下方并构成异质结；自旋极化材料层包括磁性半导体或磁性绝缘体；源漏电极和自旋极化材料层可通过外加磁场调控磁化方向而使自旋能谷光电晶体管呈现出互补特性。本发明引入自旋极化材料提升了半导体通道的自旋输运选择性，进而提升器件的自旋极化率。在此基础上，构建出光电三态门和光电逻辑电路，可用于光电隔离控制等场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112234118B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011042977.1
申请日：2020-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/153 , H01L31/18 , H04B10/114 , H04B10/116 , H04B10/40 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法，包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极，其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。
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公开(公告)号：CN112098481B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010864102.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。
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公开(公告)号：CN108428763A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN101289173A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810071176.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。
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公开(公告)号：CN118448984A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410547524.6
申请日：2024-05-06
Abstract: 一种氮化镓基近紫外激光器外延结构，涉及半导体器件。该激光器结构包括：N型欧姆电极，在N型欧姆电极上制备N型衬底，在N型衬底上依次生长外延缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、铟镓氮复合P型波导层、电子阻挡层、P型超晶格限制层、P型欧姆接触层，在所述P型欧姆接触层上制作P型欧姆电极；其中，铟镓氮复合P型波导层由多个周期的超晶格结构组成，其中每个周期的量子阱铟组分含量，沿所述有源区指向P型电子阻挡层方向逐渐增大。提供的激光器外延结构，可以改善内部光场分布，降低光学损耗，降低阈值电流，提高输出光功率。
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