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公开(公告)号：CN211208474U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202020394826.1
申请日：2020-03-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度，而过渡电极的宽度由连接电极向第一扩展电极的方向逐渐减小。也即通过设置过渡电极，使得连接电极和第一扩展电极之间的宽度变化逐渐变小，而非突然发生变化，从而避免热量在宽度突变的位置发生积聚，造成高压LED芯片结构在使用过程中热量积聚发生烧毁的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209709012U
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201822108601.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212725351U
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202022005109.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种具有改性层的LED芯片，不仅提高了芯片结构的粘附性，而且同时能作为透明导电层的硬掩膜，改善透明导电层材料蚀刻边缘不规则的缺陷，如此可提高芯片静电击穿可靠性。并且，该改性层的材料选用晶格大小介于透明导电层和绝缘保护层的材料之间，透光性较好，主要是氧化物材料，例如，SiO2、TiO2、ZrO2、ZnO。
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公开(公告)号：CN209471992U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920191147.1
申请日：2019-02-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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