公开(公告)号：CN1825590A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008700.0

申请日：2006-02-21

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法中，适当地磨削硅衬底(1)的下表面侧。该情况下，在硅衬底(1)的下表面形成微细且锐角的凹凸(硅的结晶破坏层)。接着，利用湿法刻蚀，对硅衬底(1)的下表面进行台阶差1～5μm的粗糙面加工。接着，在硅衬底(1)的下表面形成由环氧类树脂等构成的保护膜(12)。该情况下，硅衬底(1)的下表面形成台阶差1～5μm的粗糙面，所以该粗糙面能够被保护膜12可靠地覆盖，在硅衬底的下表面不易产生损伤。

公开(公告)号：CN1246900C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN00100755.6

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 桑原治 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：一半导体基片；在该半导体基片上形成的多个凸缘电极；及在相邻的凸缘电极之间的所述的半导体基片上形成的一密封膜，所述密封膜的一预定特性在其厚度方向上不同以使接近于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性比远离于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性更接近于该半导体基片的特性。

公开(公告)号：CN1574263A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047545.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 若林猛 ,  胁坂伸治

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种能提高外部连接用的电极和布线的电连接的可靠性的半导体封装及其制造方法。所谓CSP的半导体结构体(2)通过粘接层(3)而粘接在基片(1)的上面中央部上。在基片(1)的上面由树脂构成的矩形框状的绝缘层(14)被设置成其上面与半导体结构体(2)的上面大致在同一面上。在半导体结构体(2)和绝缘膜(14)的上面，使预浸材料完全固化而形成的绝缘膜(15)设置成使其上面形成平坦状态。在绝缘膜(15)的上面，设置了把金属片制作成图形而构成的上层再布线(16)。在此情况下，与上层再布线(16)的下面形成一体的尖头向下圆锥形状的凸起电极(17)，在进入到绝缘膜(15)内的状态下与柱状电极(12)的上面中央部相连接。