-
公开(公告)号：CN111799344A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010931623.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法。柔性砷化镓太阳能电池包括底部蒸镀有下电极的图形化PI衬底、砷化镓外延层、上电极和减反射膜，图形化PI衬底上方和砷化镓外延层下方蒸镀有键合金属，键合金属将PI薄膜和外延层键合。砷化镓外延层可为倒置生长的单结砷化镓太阳能电池或者多结砷化镓太阳能电池，柔性电池背面为金属电极，可以直接贴在设备表面使用，简化后续封装工艺，并且由于和设备表面直接贴合，可以增加柔性砷化镓太阳电池的散热性，提高产品的稳定性；刚性透明刚性临时衬底的使用，减少了使用砷化镓作为临时衬底带来的高成本和高污染的情况，并且降低了临时衬底去除时带来的对外延层破坏的风险。
-
公开(公告)号：CN109599460A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811431322.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它优化了常规空间晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge电池中的背面场层，即：本发明在空间晶格匹配GaInP/InGaAs/Ge电池中的中电池和顶电池分别引入复合背面场结构，中电池为Al0.3Ga0.7As/Ga0.5In0.5P复合背面场结构，顶电池为Al0.33Ga0.15In0.52P/Al0.1Ga0.4In0.5P复合背面场结构。通过复合背面场各层组分和浓度的设计，使背面场内形成导带阶和浓度梯度，使得背面场与基区间电场加强，从而使电池基区中产生的光生载流子到达背面场时反射效率提高，少子更好的被收集，从而提升了电池的光电转化效率。
-
公开(公告)号：CN109545898A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811421360.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/1844 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法。为了提高GaInP/GaInAs/Ge太阳能电池的抗辐照能力，目前常采用技术主要是将顶电池GaInP的厚度减薄，使电池变成顶电池限流，使辐照后中电池电流的衰减不引起整个电流的变化；另外在中电池中增加分布式布拉格反射器(DBR)结构、减薄中电池GaInAs的厚度，使的中电池GaInAs抗辐照能力增强。本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池结构相比，采用本发明技术方案的产品结构在常规GaInP/InGaAs/Ge电池中电池窗口层上沉积一定厚度、高掺杂的阻隔层材料AlGaAs，通过使中电池厚度增加，使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在中电池基区，使得中电池的累积损伤更小，从而提高了电池的抗辐射能力。
-
公开(公告)号：CN112864282B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110438714.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/041 , H01L31/078
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。
-
公开(公告)号：CN113066907B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110616416.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0687
Abstract: 本发明涉及一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明利用聚苯乙烯纳米球来制作周期型结构，在微球间隙填充进金属，最后形成周期性纳米结构的整面网状电极，来代替传统的梳状电极，能够减少电池表面电极遮光比，提高电流收集效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864261A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110438705.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/055 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制备方法，属于砷化镓太阳能电池技术领域。本发明提供的柔性砷化镓太阳能电池中，包括柔性衬底、接触层、底电池、中电池、顶电池、减反膜；其中，柔性衬底是通过将表面改性后的上转换材料与聚酰亚胺预聚物混合共同固化所得。本发明通过对上转换材料进行表面改性，使上转换材料颗粒表面带有氨基，使得上转换材料可以稳定均匀的分散在聚酰亚胺预聚物内而不发生团聚现象；在柔性砷化镓太阳能电池内引入上转换材料，有效扩宽了太阳能电池的吸收谱域，提高了砷化镓太阳能电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN111863650A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010674058.X
申请日：2020-07-14
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种改善LED芯片外观的测试方法，该方法通过在电极透明导电膜上设置一个与4寸晶片形状大小一致的凸槽，将待测试的4寸晶片放置在测试机金属盘上，所述测试机金属盘上均匀分布着抽气孔，再将电极透明导电膜上的凸槽对应重叠覆盖在待测试的4寸晶片上，测试机上的抽气系统通过抽气孔抽气，使得晶片与电极透明导电膜紧密结合，测试完成后关掉测试机的抽气系统，即可轻易将电极透明导电膜移除，避免了撕去导电膜时造成晶片的破裂以及在晶片表面留下脏污；测试过程中，测试探针没有直接与P电极接触，极大的改善了芯片的外观。
-
公开(公告)号：CN211957672U
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201921614038.2
申请日：2019-09-25
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型LED外延片，包括GaAs衬底，其中：所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP波导层、复合MQW有源层、p-AlGaInP波导层、p-AlInP限制层和p-GaP电流扩展层。本实用新型中复合MQW有源层采用两种材料构成的垒，通过组分的设计来提高垒限制电子的能力，从而提高电子与空穴对在量子阱中的复合几率，进而提高发光效率。
-
公开(公告)号：CN209029401U
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201821954535.2
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型公开了一种基于双面抛光衬底的空间三结太阳能电池，包括GulnGaSe子电池、GaAs衬底、GalnAs子电池以及GalnP子电池，所述GaAs衬底为双面抛光的n型单晶片结构，所述GaAs衬底的下表面设置有GaAs缓冲层I，所述GulnGaSe子电池沉积于GaAs缓冲层I的下表面位置。利用n型GaAs双面抛光衬底，在GaAs上表面采用MOCVD方法沉积带隙组合为1.9eV/1.42eV的GaInP子电池和GaAs子电池，在其下表面采用磁控溅射方法溅射带隙宽度1.1eV的CuInGaSe子电池，最终得到带隙组合1.9eV/1.42eV/1.1eV的空间三结太阳能电池，达到了太阳光谱下更佳的带隙组合，使得太阳光谱更有效的分割利用，提高电池对太阳光谱的利用率，从而显著提高了电池的光电转化效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN209029397U
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201821954503.2
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0236
Abstract: 本实用新型公开了一种具有基区组分渐变空间的失配电池外延片，包括衬底，所述衬底的上表面设置有缓冲层，所述缓冲层的上表面设置有保护层，所述保护层的上表面紧压粘接有纳米反光膜，所述纳米反光膜的上表面安装有太阳能电池层，本实用新型中设置了散热膜，可以对太阳能电池层进行散热，延长了其使用寿命；设置了纳米反光膜，可以对渗透过的光线进行反射，提高了光线的利用率；设置了保护层，可以对太阳能电池层和衬底进行隔离防护，避免损坏的一方腐蚀另一方，提高了各部分之间的保护能力；碳纤维层的设置，增加了太阳能电池层本身的结构强度，提高了其韧性，该电池外延片呈带隙递变的结构，便于制作，降低了经济成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.035 seconds)
