硅片定位机构及硅片加工设备

    公开(公告)号:CN119050036B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411519013.X

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本申请涉及一种硅片定位机构及硅片加工设备,包括基座和盖体,基座具有承载面,承载面设有用于堆叠至少两个硅片的堆叠位,承载面开设有组配槽;盖体可拆卸地设于基座并设有组配部和抵压部,组配部能够与组配槽组配以形成负压空间,基座还设有气孔,气孔用于连通负压空间与负压装置,盖体开设有操作窗口,操作窗口与堆叠位对应设置,抵压部用于抵压位于堆叠位内最上层的硅片。与传统技术相比,上述的硅片定位机构通过负压空间内的负压环境对盖体产生吸力,以使盖体上的抵压部能够均匀压紧堆叠位的硅片,不会对硅片造成过度挤压而损坏硅片,进而提高半导体芯片的制造良品率。

    悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统

    公开(公告)号:CN119044258B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411550383.X

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本申请涉及一种悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统。该悬臂梁氢气传感器中:衬底形成有一凹槽;两个对称设置的悬臂梁结构设于衬底上,且位于凹槽上方;第一气敏薄膜和第一加热电极设置于其中一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧,且第一气敏薄膜包括钯合金材料;第二气敏薄膜和第二加热电极设置于另一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧,且第二气敏薄膜包括贵金属修饰金属氧化物薄膜;其中,第一加热电极接入第一气敏薄膜的最佳加热温度对应的第一电压,第二加热电极接入第二气敏薄膜的最佳加热温度对应的第二电压,以经第一气敏薄膜和第二气敏薄膜输出表征环境氢气浓度的信号,灵敏度和精度高。

    悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统

    公开(公告)号:CN119044258A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411550383.X

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本申请涉及一种悬臂梁氢气传感器及其校准方法、氢气检测系统。该悬臂梁氢气传感器中:衬底形成有一凹槽;两个对称设置的悬臂梁结构设于衬底上,且位于凹槽上方;第一气敏薄膜和第一加热电极设置于其中一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧,且第一气敏薄膜包括钯合金材料;第二气敏薄膜和第二加热电极设置于另一个悬臂梁结构背离凹槽的一侧,且第二气敏薄膜包括贵金属修饰金属氧化物薄膜;其中,第一加热电极接入第一气敏薄膜的最佳加热温度对应的第一电压,第二加热电极接入第二气敏薄膜的最佳加热温度对应的第二电压,以经第一气敏薄膜和第二气敏薄膜输出表征环境氢气浓度的信号,灵敏度和精度高。

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