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公开(公告)号：CN103382180A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310313718.1
申请日：2013-07-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D237/20 , C07D403/04
Abstract: 本发明涉及一类含空穴传输功能有机磷光材料配体的制备：在无水无氧氮气保护下，取适量二芳基胺原料溶解在有机溶剂中；再向该溶液中添加相当于上述原料10%～70%的相转移催化剂，氮气环境下常温搅拌。形成均匀溶液后，接着加入氢化钠，继续搅拌；取等当量的3-卤代-6-苯基哒嗪衍生物溶液，滴加到搅拌中的二芳基胺溶液，迅速加热至一定温度，反应一段时间；而后，向混合溶液中缓慢滴加弱酸溶液，淬灭反应；再经过萃取、色谱柱和重结晶进行提纯，可得到最终产物，产率可达到80%以上；本发明首次在芳香胺的碳氮偶联反应中，引入相转移催化剂，具有反应温度低，产率高，可重复性好的特点，工艺简单，适于低成本大规模生产。
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公开(公告)号：CN102593362A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210039497.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于1,3,4,5,6,7-hexaphenyl-2-3’-(9’-ethylcarbazolyl)-isoindole[HPCzI]材料的有机太阳能电池结构。该结构由下至上依次包括：衬底、阳极、阳极缓冲层、空穴传输层、混合光活性层、电子传输层、阴极缓冲层和阴极组成。其中所述的衬底采用石英片、玻璃片、聚苯乙烯或聚乙烯等透明材料，阳极采用功函数大于阴极的金属、金属氧化物、炭黑或导电聚合物等，阳极缓冲层和空穴传输层为HPCzI，混合光活性层由有机给体材料与有机受体材料混合而成，如：CuPc或ZnPc混合C60或PCBM，电子传输层采用C60或其他有机电子传输材料，阴极缓冲层为TPBi、BCP、BPhen、LiF等，阴极采用功函数相对阳极较低的金属或金属合金。除阳极外各层可采用真空蒸镀、喷涂、打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。本发明可提高有机太阳能电池的功率转换效率。
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公开(公告)号：CN118315198A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410400958.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热原位沉积制备铜锌锡硫薄膜的方法，将基底清洗、烘干后进行预处理，将铜锌锡硫晶种液涂覆于基底上，得到铜锌锡硫晶种层；将正二价铜盐、正二价锌盐、正二价锡盐和硫脲加入溶剂中制备前驱体溶液；将铜锌锡硫晶种层浸入前驱体溶液中，溶剂热反应后冷却，取出产物并洗净，退火处理后，即得。该方法采用含有DMF的醇类溶液作为溶剂，提高了前驱体化合物的溶解性，避免了现有技术中需依赖表面活性剂来抑制不可控颗粒生长的问题；同时该方法引入晶种层辅助溶剂热沉积技术，避免了多元杂质相的生成，提高了薄膜的生长速度和质量，且铜锌锡硫薄膜的厚度可控。本发明的铜锌锡硫薄膜特别适合作为对电极应用于染料敏化太阳能电池。
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公开(公告)号：CN113461594B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110552186.1
申请日：2021-05-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本申请公开了有机发光存储材料及应用该材料的有机双稳态发光二极管存储器，提出了两种有机发光存储材料以及使用该材料的OLED结构的发光存储器，本发明所述的两种有机双稳态发光二极管OBLED发光存储器件具备OLED器件的发光特性、同时还具有有机双稳态器件OBD的存储功能，是一种兼存储与发光功能于一身的多功能OBLED发光存储器件，并且都表现出相同的先低导态再高导态的一次写入多次读取WORM存储行为。在有机电致发光及可视信息和保密存储领域具有巨大的潜在应用价值。而且，本发明所述的OBLED发光存储器件制备工艺简单、成本低廉、OLED发光效果稳定，具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN115784629B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211417784.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电功能薄膜材料领域，公开了一种含锡的双钙钛矿材料薄膜及其原位溶液制备方法和应用，通过将原料AI、SnI2和I2混合于有机溶剂中，所述有机溶剂为乙二醇甲醚(EGME)或乙二醇甲醚衍生物，得到原浆涂覆于衬底上，热处理后得到本发明的双钙钛矿材料的薄膜。本发明提供的原位溶液制备方法避免了现有技术中溶液法制备Cs2SnI6薄膜时，需要在高温下添加原料、或者先制备前驱体溶液的步骤；同时也避免了固相法制备过程中涉及的高真空、惰性气氛或是昂贵的设备；且经实验证实，制备出的Cs2SnI6薄膜具有高纯度、高取向生长、空气稳定性的良好特性，且在可见光范围内的吸收系数达到104cm‑1量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113563325B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110563642.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率的激发态分子内质子转移(ESIPT)发光材料及其制备方法与应用，结合ESIPT性质与热激活延迟荧光性质，设计合成能够发生高能级三重态激发态到单重态激发态间的快速反向系间窜越机制的ESIPT材料。该类材料分子激发态具有显著的杂化局域‑电荷转移性质，并具有高的激子利用率。同时，本发明的材料具有良好的热稳定性和成膜性，分别制备了单分子黄光和单分子白光OLED；本发明还将TADF蓝光材料与上述ESIPT黄光材料掺杂作为发光层，且两者之间能量传递受到阻断，通过掺杂比例调控互补色主客体发光峰，制备了低成本、可重复制备、高效、EL光谱稳定、色度可调的白光OLED器件。
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公开(公告)号：CN114874262A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210553715.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用，所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料在溶液与薄膜中表现出良好的耐温性，与质子转移黄光材料掺杂制备的掺杂薄膜在高温范围内具有良好的温度响应，有应用到高温传感中的潜力；将具有质子转移的黄光材料与上述青蓝光材料掺杂作为发光层，制备白光OLED器件。所制备的青蓝和白光OLED器件具有耐高温的特征，在高温下电致发光强度明显增强。本发明所述单分子青蓝光OLED以及白光OLED器件都具备较高的器件效率、高的激子利用率和较好的耐温性；其中发射层黄光材料与青蓝光材料之间没有能量传递，因此色坐标与电致发光光谱稳定，在高效耐高温的OLED应用领域具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN109943321B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910279170.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , C07D413/00 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明揭示了一种具有延迟荧光性质的ESIPT发光材料及其制备方法与应用。本发明基于ESIPT的特殊性质，设计合成出了一种具备延迟荧光特性及大斯托克斯位移的发光材料。同时，本发明的ESIPT发光材料分子能级合适、发光效率较高，具有较好的成膜性，可以作为黄光掺杂材料制备非能量传递型发光薄膜使用。在有机电致发光器件成品中，本发明的ESIPT发光材料与主体材料不发生能量传递，通过掺杂比例的调控，可以实现对主客体发光峰的比例控制，从而成功制备出可重复的色度可调控的多色发光OLED。
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公开(公告)号：CN110148523A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910325836.1
申请日：2019-04-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一：将铜铟硫纳米材料分散到非极性溶剂中，得到铜铟硫纳米材料源溶液；步骤二：将硫脲溶解到电喷溶剂中，得到硫源溶液；步骤三：将铜铟硫纳米材料源溶液与硫源溶液混合均匀，再加入足量的电喷溶剂得到电喷前驱液；第四步：利用静电喷雾法将电喷前驱液喷涂在导电基底上形成一层膜，再经后处理形成铜铟硫纳米薄膜。本发明具有制备过程简单、易操作、原材料消耗少的优点。
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公开(公告)号：CN110128282A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910333345.1
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C217/84 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种二苯并屈类衍生物，其结构式如式1所示： ，式中，R1和R2为烃基，Ar1和Ar2为芳香基团或其衍生物。本发明还将其应用到有机光电器件中作为界面修饰层，改善了电极和有机界面的接触，提高了空穴的传输和收集效率，使有机光电器件的性能得到了提升。
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