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公开(公告)号：CN114874262B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210553715.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用，所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料在溶液与薄膜中表现出良好的耐温性，与质子转移黄光材料掺杂制备的掺杂薄膜在高温范围内具有良好的温度响应，有应用到高温传感中的潜力；将具有质子转移的黄光材料与上述青蓝光材料掺杂作为发光层，制备白光OLED器件。所制备的青蓝和白光OLED器件具有耐高温的特征，在高温下电致发光强度明显增强。本发明所述单分子青蓝光OLED以及白光OLED器件都具备较高的器件效率、高的激子利用率和较好的耐温性；其中发射层黄光材料与青蓝光材料之间没有能量传递，因此色坐标与电致发光光谱稳定，在高效耐高温的OLED应用领域具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN113563325B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110563642.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率的激发态分子内质子转移(ESIPT)发光材料及其制备方法与应用，结合ESIPT性质与热激活延迟荧光性质，设计合成能够发生高能级三重态激发态到单重态激发态间的快速反向系间窜越机制的ESIPT材料。该类材料分子激发态具有显著的杂化局域‑电荷转移性质，并具有高的激子利用率。同时，本发明的材料具有良好的热稳定性和成膜性，分别制备了单分子黄光和单分子白光OLED；本发明还将TADF蓝光材料与上述ESIPT黄光材料掺杂作为发光层，且两者之间能量传递受到阻断，通过掺杂比例调控互补色主客体发光峰，制备了低成本、可重复制备、高效、EL光谱稳定、色度可调的白光OLED器件。
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公开(公告)号：CN114874262A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210553715.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用，所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料在溶液与薄膜中表现出良好的耐温性，与质子转移黄光材料掺杂制备的掺杂薄膜在高温范围内具有良好的温度响应，有应用到高温传感中的潜力；将具有质子转移的黄光材料与上述青蓝光材料掺杂作为发光层，制备白光OLED器件。所制备的青蓝和白光OLED器件具有耐高温的特征，在高温下电致发光强度明显增强。本发明所述单分子青蓝光OLED以及白光OLED器件都具备较高的器件效率、高的激子利用率和较好的耐温性；其中发射层黄光材料与青蓝光材料之间没有能量传递，因此色坐标与电致发光光谱稳定，在高效耐高温的OLED应用领域具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN113563325A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110563642.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本申请公开了一种具有高激子利用率的激发态分子内质子转移(ESIPT)发光材料及其制备方法与应用，结合ESIPT性质与热激活延迟荧光性质，设计合成能够发生高能级三重态激发态到单重态激发态间的快速反向系间窜越机制的ESIPT材料。该类材料分子激发态具有显著的杂化局域‑电荷转移性质，并具有高的激子利用率。同时，本发明的材料具有良好的热稳定性和成膜性，分别制备了单分子黄光和单分子白光OLED；本发明还将TADF蓝光材料与上述ESIPT黄光材料掺杂作为发光层，且两者之间能量传递受到阻断，通过掺杂比例调控互补色主客体发光峰，制备了低成本、可重复制备、高效、EL光谱稳定、色度可调的白光OLED器件。
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