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公开(公告)号：CN105070792A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510551034.4
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/182
Abstract: 本发明公开一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法。其步骤包括：(1)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术，在硅片表面制备黑硅结构；(2)采用NSR(Nano-Structure Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优化处理，形成均匀的倒金字塔结构；(3)在纳米结构上，通过改变扩散方阻与氮化硅钝化膜的厚度；(4)结合液相处理和PECVD技术形成氧化硅/氮化硅双层钝化结构。与酸制绒形成的蠕虫状结构相比，本发明制备的倒金字塔减反射结构具有更好的减反射效果，同时比纳米黑硅结构更易于钝化，是理想的黑硅减反射结构。采用本发明中的制备方法，可以制备出低反射率且高转换效率的多晶太阳电池。本发明工艺简便，与现有电池工艺相比，只增加液相处理工艺，成本低廉，适用于工业化量产。
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公开(公告)号：CN102660776B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210140097.7
申请日：2012-05-09
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种低成本制备“黑硅”的方法。其特征在于：本发明首先使用丙酮、乙醇和超纯水依次对单晶硅片进行超声清洗，以去除硅片表面油污和金属离子；然后将硅片放入高浓度的NaOH溶液中腐蚀数分钟，以去除表面损伤层；接着将硅片放入低浓度的NaOH溶液中腐蚀数十分钟从而在硅片表面形成金字塔状结构；最后将其置于HF、锰盐(Mn(NO3)2、或Mn(NO3)3、K2MnO4以及KMnO4中任一种）和超纯水的混合溶液中进行化学腐蚀以在金字塔上制备减反射纳米微结构“黑硅”。该发明无需复杂设备，制备工艺简单，制备成本低，并可实现大面积“黑硅”的制备。
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公开(公告)号：CN102299206B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110252052.4
申请日：2011-08-30
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池器件技术领域。该异质结太阳电池的特点在于：在透明导电膜和第一型非晶硅之间还具有一层第一型非晶碳化硅层，该层膜厚10~50nm；在准单晶硅层和金属膜之间还具有一层透明导电膜，该层膜厚为100~300nm。其制备过程为：利用p（或n）型单晶硅片制备双层多孔硅，H2退火后再先后生长p（或n）型晶体硅层和本征晶体硅层；然后依次对样品表面进行H2处理、制备本征非晶硅层、n（或p）型非晶硅层、n（或p）型非晶碳化硅层，器件制备完后实施层转移。本发明可在获得高质量硅薄膜的同时使硅片得到重复使用；窗口层的导电性和透过率更高；在低温下实现良好的电极接触。
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公开(公告)号：CN103094373A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110074145.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/074 , H01L31/20
Abstract: 本发明一种Cu2ZnSnS4/α-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。该电池包括2种结构。第一种结构为由p型层、i型层和n型层构成异质p-i-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：i型层和n型层都为α-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。第二种结构为由p型层和n型层构成异质p-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：n型层为α-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。本发明制备的太阳能电池结构新颖且完全无毒廉价，具有广阔的应用前景和很大的商业价值。
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公开(公告)号：CN102826594A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210276397.8
申请日：2012-08-06
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种低成本微波合成方法制备太阳电池吸收层材料Cu2ZnSnS4的制备方法，属于太阳电池材料与器件技术领域。本发明首先配制合适的反应溶液，然后将溶液放入微波炉中进行微波加热得到Cu2ZnSnS4纳米颗粒。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、无需复杂设备，制备工艺简单、制备成本低、纳米颗粒成分可控。制得的铜锌锡硫纳米颗粒可分散在乙醇或者乙二醇中形成墨水，通过涂覆形成薄膜，可制成铜锌锡硫薄膜太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102418138A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110225427.8
申请日：2011-08-08
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种用于全面积薄膜器件转移的制备多孔硅的装置，包括槽体，其特征在于：在所述的槽体上方开设有腐蚀槽，在槽体的下方开设有真空室，在所述的腐蚀槽与真空室之间开设有通孔，在所述的腐蚀槽底面设置有橡胶垫，所述的通孔位于橡胶垫的圈内，在所述的腐蚀槽内还设置有铂网阴电极；在所述的真空室内设置有金属探针电极，金属探针电极的上端穿出所述的通孔位于腐蚀槽内，在真空室内设置有抽真空气口。本发明的优点在于：结构简单，操作方便，能实现对单晶硅片正面的全面积腐蚀，从而实现外延器件整体转移的目的，并且能腐蚀多种尺寸的单晶硅片，腐蚀后的单晶硅片经过处理可以循环多次使用。
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公开(公告)号：CN102400109A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110356323.0
申请日：2011-11-11
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明属于新材料制备领域，概括为一种用聚苯乙烯固态碳源在低温下通过化学气相沉积法生长大面积石墨烯的方法，该法生长的石墨烯表面光滑平整，层数可控。本发明是一种采用廉价的固态碳源在低温条件下，制备层数可控石墨烯薄层的方法。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN101699633A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910232884.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池器件技术领域，涉及PIN结硅基薄膜太阳能电池及其制备工艺。具体而言，对硅基薄膜太阳能电池的核心-PIN结的P-层，I-层，N-层均采用热丝化学气相沉积的方法制备，并且用热丝化学气相沉积的方法在P-层和I-层之间生长一层介质材料构成的钝化层。该热丝化学气相沉积法具有气源利用率高，生长速率快，减少界面缺陷等特点，所生长的薄膜中的H含量比PECVD法要高，悬挂键要比PECVD方法少，膜的质量更好。再加上P-层和I-层之间的钝化层可以钝化界面的悬挂键，并且通过隧道效应增加界面处的载流子迁移率，从而使得电池的效率得到更大的提高。
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公开(公告)号：CN100560597C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710024630.2
申请日：2007-06-26
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种新的方法来合成金属有机配合物(SiH3)2Fe(CO)4及其在制备FeSi2薄膜材料方面的应用，其化合物的结构如下：将Fe2(CO)9或者Fe3(CO)12与HSiCl3在密闭的体系下于50-150℃下反应24～96h，之后在氮气保护下打开，在溶剂中用还原剂将其还原，抽干溶剂后升华(2.5mmHg，25℃)得到白色固体。产品用红外，核磁，元素分析等手段进行表征，证明是我们预期所要的化合物。
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公开(公告)号：CN117790639B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410210938.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 意诚新能(苏州)科技有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了改善太阳能电池片光热衰减特性的预处理装置，其包括预处理流水线、光热衰减处理单元、冷却单元，预处理流水线形成水平传输面，其中水平传输面沿着传输方向依次分为辐射段、红外焊接模拟段、冷却段，光热衰减处理单元包括激光辐射器、红外焊接模拟器。本发明一方面能够通过激光辐射使得电池片衰减至稳态，同时通过红外辐射模组进一步精准模拟实际焊接动态，改善电池片的光热衰减特性，有效消除电池片表面出现明暗片，提升电池片的稳定性；另一方面经过光热衰减后的电池片，在线监测电池片处理效果，将表面存在暗片的电池片剔除，以保证合格产品进入组装工序，同时每个电池片保持相同工况进行预处理，致使产品均一性好，提升良品率。
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