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公开(公告)号：CN106785913A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710005563.3
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01S5/34333 , H01S5/3013
Abstract: 本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN103966621B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410026998.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm?5um，InGaN层、10nm?1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1?5μm、InGaN层厚度100?500nm；DBR层为8?16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40?70nm和60?90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。
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公开(公告)号：CN105060295A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510476890.8
申请日：2015-08-06
Applicant: 南京大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 一种介孔结构TiC材料的制备方法，将钛酸异丙酯TPT、四氯化钛TiCl4作为钛源和表面活性剂按一定比例溶解到乙醇中成为溶液，溶液在空气中静置挥发诱导自组装；静置2-4天乙醇挥发，钛酸异丙酯、四氯化钛水解生成二氧化钛，得到二氧化钛块体；所述二氧化钛块体在氩气保护下退火使表面活性剂碳化，得到介孔二氧化钛与碳的复合物，碳化温度为700±50℃；得到的复合物与镁粉混合后，用钢制的密闭容器退火，退火温度700～800℃，进行镁热还原，与碳反应得到碳化钛；得到的产物最后用1M～2M的盐酸浸泡，除去氧化镁杂质，得到介孔结构的TiC材料。
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公开(公告)号：CN103469918B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310428808.5
申请日：2013-09-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种地铁车辆段与上盖建筑物业之间钢筋混凝土双向分隔楼板的耐火优化设计方法，包含以下步骤：首先通过有限元方法按照四边固支条件建立楼板数值模型，划分有限单元网格，计算并绘出过火后挠度—时间曲线，找出曲线上曲率的拐点；采用剖分节点搜索法确定出拐点处塑性铰线的分布及出铰截面的节点转动量；根据相应温度下混凝土与钢筋的材料性能，通过塑性铰转动量计算出塑性铰线处的薄膜力与截面抗力，确定过火板相应的剩余承载力；据此计算过火钢筋混凝土双向板的耐火时间与剩余承载力，并进行优化设计。本发明方法可精细预测钢筋混凝土双向分隔楼板的实际耐火时间与过火后的剩余承载力，可降低为了达到3小时耐火极限时间所需要增加的建设成本，达到节约造价的目的。
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公开(公告)号：CN102491252B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103956389A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410148707.7
申请日：2014-04-14
Applicant: 杭州启沛科技有限公司 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143 , H01L29/0611 , H01L29/0619
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N-外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
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公开(公告)号：CN101807547B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200910024504.6
申请日：2009-02-18
IPC: H01L21/8234 , H01L27/14
Abstract: 光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、SiON或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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公开(公告)号：CN102912315A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210344800.6
申请日：2012-09-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02
Abstract: 制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。制备InxGa1-xN合金薄膜时，在上述条件的基础上，镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃。
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公开(公告)号：CN102856172A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210320301.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/30617
Abstract: 一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。
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公开(公告)号：CN102828240A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316953.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/30621 , H01L21/3081
Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
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