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公开(公告)号：CN114703539B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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公开(公告)号：CN116380831A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211690148.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/3577 , C12M1/34 , C12M3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多波段激光光谱的类器官芯片检测系统，包括主控处理模块，还包括：多路阵列激光模块以及光纤耦合器模块，所述光纤耦合器模块上连接有类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统；锁相放大器模块，与主控处理模块连接，用于对接收的信号进行锁相放大转化成电信号并出入主控处理模块；以及双路MEMS‑SPI光谱传感器模块，与类器官芯片癌细胞培养系统连接且通过光纤衰减器模块与类器官芯片正常细胞培养系统连接，用于接收来自类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统的红外光信号；本发明能够通过光谱传感器对液体成分进行检测，检测类器官芯片培养特征的微量细胞培养液的成分和浓度。
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公开(公告)号：CN112436070B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011381986.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。
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公开(公告)号：CN114703539A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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公开(公告)号：CN112158875A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011070427.0
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种孤立ZnO微米棒的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，对真空室腔体抽真空；对Au和Ti靶材进行预处理；采用电子束沉积法沉积Au/Ti薄膜，衬底温度为室温，沉积电压为10KV，沉积Au和Ti的厚度分别为50nm和20nm；采用水热法在衬底上生长ZnO微米棒，前驱体为硝酸锌和六次甲基四胺，溶剂为去离子水，生长温度为70‑90摄氏度；生长结束后取出样品用去离子水清洗干净后晾干。采用本发明方法制备的ZnO微米棒在金属表面生长，易于剥离，是制备单微纳米光电子器件的理想材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108649082A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810347600.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点-碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液，然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点-碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中，由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题，提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，利用碳量子点作为载流子传输层，可以极大程度的提高探测器的光响应电流，从而提高响应度，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN118366035B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410527765.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G06V20/10 , G01N21/25 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/006 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种纺织面料高光谱成分感知方法、装置，包括：获取纺织面料的高光谱数据；按照5纳米步长对所述高光谱数据取样后得到纺织面料的光谱特征数据；利用训练好的纺织面料高光谱成分感知模型处理光谱特征数据，得到纺织面料成分感知结果。本发明中的纺织面料高光谱成分感知模型包括一维至三维卷积核、池化层的尺寸以及线性层维度。本发明能够快速、准确的识别纺织面料的成分，且在识别过程中不会破坏纺织面料。
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公开(公告)号：CN118366035A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410527765.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G06V20/10 , G01N21/25 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/006 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种纺织面料高光谱成分感知方法、装置，包括：获取纺织面料的高光谱数据；按照5纳米步长对所述高光谱数据取样后得到纺织面料的光谱特征数据；利用训练好的纺织面料高光谱成分感知模型处理光谱特征数据，得到纺织面料成分感知结果。本发明中的纺织面料高光谱成分感知模型包括一维至三维卷积核、池化层的尺寸以及线性层维度。本发明能够快速、准确的识别纺织面料的成分，且在识别过程中不会破坏纺织面料。
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公开(公告)号：CN118053051A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410454317.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于超像素自注意力机制的高光谱遥感图像分类方法，包括：对输入高光谱遥感图像进行PCA降维处理，选取出降维图像的第一主成分；基于第一主成分进行SLIC超像素分割标记，得到多个尺度的超像素块；输入到超像素注意力网络分类模型，该模型包括超像素间注意力模块、超像素内注意力模块、双分支特征融合与分类网络；分别获得图像的两种像素特征表示，并通过双分支特征融合与分类网络进行特征表示融合与预测分类，输出像素标签类别；设计超像素注意力网络分类模型的损失函数并进行训练；将测试集输入到训练好的超像素注意力网络分类模型，获得符合要求的测试分类精度，完成高光谱遥感图像的分类。
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公开(公告)号：CN114487190B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210089718.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 南京信息工程大学 , 苏州捷准智能科技研发有限公司
Abstract: 本公开属于医疗器械领域，公开一种基于光PID传感器的医用人体呼出VOC气体检测装置，包括吹气口、干燥管、光PID传感器、主控制器、显示器，待检测的混合VOC气体经过吹气口进入至干燥管，干燥后的混合VOC气体通过至光PID传感器进行检测VOC气体的粗含量和成分，粗含量和成分的检测数据进行传输至主控制器，主控制器传输至显示器上，显示器进行显示检测的混合VOC气体内的分子及其含量。本公开能够准确地提高测量人呼出气体中VOC成分的含量。
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