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公开(公告)号：CN113433437A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110719763.1
申请日：2021-06-28
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种提取放电电流脉冲的方法及系统，获取沿面放电实验中不同采样时刻的沿面放电电流，沿面放电电流包括放电电流脉冲、极化电流和去极化电流，根据光电流峰值时刻获取沿面放电电流峰值的采样时刻，将沿面放电电流峰值时刻对应的沿面放电电流设置为空，构成缺省沿面放电电流序列，对缺省沿面放电电流序列进行三次样条插值拟合，获得拟合沿面放电电流序列，拟合沿面放电电流序列中的拟合沿面放电电流只包含极化电流和去极化电流，因此将沿面放电电流序列减去拟合沿面放电电流序列后的电流即为放电电流脉冲，实现了在重合于极化电流和去极化电流中准确提取放电电流脉冲。
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公开(公告)号：CN113110681A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
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公开(公告)号：CN112946451A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110202180.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括：驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路，每个试验电路中都有IGBT器件，两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后，通过电感和电容的谐振作用，使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点，在IGBT完成一个试验周期后，电容的极性发生改变，在IGBT关断后，只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压，满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法，能够对IGBT器件进行可靠性评估，避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
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公开(公告)号：CN111366838B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010181009.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332‑2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。
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公开(公告)号：CN111487515B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111487520A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN111366838A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010181009.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332-2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。
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公开(公告)号：CN110133472B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R31/27
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN111063679A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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公开(公告)号：CN105552037B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510960380.8
申请日：2015-12-18
IPC: H01L23/10 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。
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