-
公开(公告)号：CN113092863B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110391454.6
申请日：2021-04-09
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质，方法包括：构建双脉冲测试电路；根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式；改变驱动外电阻为第二预设电阻值，根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式；根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明，采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻，具有较高的实用价值。
-
公开(公告)号：CN113092863A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110391454.6
申请日：2021-04-09
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质，方法包括：构建双脉冲测试电路；根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式；改变驱动外电阻为第二预设电阻值，根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式；根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明，采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻，具有较高的实用价值。
-
公开(公告)号：CN111487520A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
-
公开(公告)号：CN111487520B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
-
公开(公告)号：CN111081642A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911064150.8
申请日：2019-11-04
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/16 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种压接型功率器件封装结构和封装方法，封装结构包括分体式管壳和位于分体式管壳内部的压接型功率器件；分体式管壳包括上封接件(2)和下封接件(1)，所述上封接件(2)和下封接件(1)之间形成密闭腔体；压接型功率器件(5)下表面与下封接件(1)的底部固定，其上表面上封接件(2)的底部固定；分体式管壳内充斥绝缘介质。本发明采用绝缘油或者绝缘气体作为绝缘介质，能够通过绝缘介质提高了功率器件的耐压能力；上封接件和下封接件通过冷压焊接形式固定，在管壳内部形成了密封腔体，大大提高了分体式管壳的密封性能和绝缘可靠性；本发明还提高了封装结构的散热性能和散热效率。
-
公开(公告)号：CN113063990A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110310440.7
申请日：2021-03-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
摘要： 本发明公开了一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法，包括：基于获取的功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压，得到功率半导体器件的电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线和功率半导体器件的电压在瞬态关断过程中的电压变化曲线；利用电流变化曲线、电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定测试电路中的杂散电容与电压的关系；获取功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值，基于电压值和杂散电容与电压的关系，确定测试电路在当前时刻的当前杂散电容值。本发明利用瞬态关断过程中的电压变化曲线计算杂散电容与电压的关系，更准确评估测试电路中的杂散电容。
-
公开(公告)号：CN111709162A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010349978.4
申请日：2020-04-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G16C60/00 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。
-
公开(公告)号：CN110416194A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910501701.6
申请日：2019-06-11
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/739 , H01L23/04 , H01L23/08
摘要： 本发明提供一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构，其包括内凹槽、E极立柱、G极立柱、导向隔板和伞裙；导向隔板和伞裙分别位于内凹槽的下侧和外侧，E极立柱和G极立柱均竖直设置在内凹槽内部；伞裙包括至少两层依次排列的L型伞裙片。本发明提供的绝缘框架结构体积小，通用性和稳定性强，易加工，定位简单，可有效解决不同高电压等级下的绝缘配合问题，满足器件内部多芯片并联结构的固定定位要求。本发明采用改性塑料开模注塑成型，可实现批量加工，电气绝缘强度高，抗爬电，机械性能优良，灌胶口和排气孔有利于灌注硅凝胶并排除空气，降低气泡引起的局部放电和受热膨胀带来的不利影响。
-
公开(公告)号：CN111693844B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010797186.3
申请日：2020-08-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
公开(公告)号：CN111709162B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010349978.4
申请日：2020-04-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G16C60/00 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
33 条记录 (耗时 0.061 秒)
