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公开(公告)号：CN109682866A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910011383.5
申请日：2019-01-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106945404A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710200069.2
申请日：2017-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1601
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。
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公开(公告)号：CN104681801B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510094943.X
申请日：2015-03-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/38
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法。复合电极包括Cu/Ni合金层和覆盖在Cu/Ni合金层上的石墨烯薄膜；其中，Cu/Ni合金层由Ni膜和覆盖在Ni膜上Cu膜发生Ni原子与Cu原子的相互扩散形成，Ni膜与Cu膜的厚度比为1:(3～10)。本发明避免了石墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏，减少了石墨烯缺陷的数目，通过调整Ni膜与Cu膜的厚度，采用分段升温的CVD工艺，获得高质量的石墨烯，增强了石墨烯对Cu/Ni合金的保护能力，得到的复合电极具有优异的抗腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN104378161B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410565988.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/25 , H04B10/278
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI4总线架构的FCoE协议加速引擎IP核，属于以太网光纤通道领域，应用于FCoE融合网络适配器中。本发明包括发送模块、接收模块和控制模块。本发明建立在AXI4总线架构基础之上，利用AXI4-Lite总线对本发明IP核配置寄存器，利用AXI4总线进行发送/接收描述符的读写，利用AXI4-Stream高速通道传送发送/接收的数据。本发明可以由FCoE融合网络适配器CPU进行控制，专门针对以太网光纤通道领域中硬件处理FCoE数据帧的需要，采用全双工工作模式，工作实时高效，数据吞吐量大，传输速率高，并且能够实现无损传输。本发明支持FCoE数据分段/合并处理、无损以太网功能和单根虚拟化。
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公开(公告)号：CN104485177B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410733580.5
申请日：2014-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法，该方法将聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平铺在基板上，再将纳米石墨粉按0.005～0.02毫克/平方厘米均匀铺在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后将纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板进行摩擦，使纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微导电沟道，得到柔性、透明的导电膜。本发明具有工艺周期短，实施便捷的特点。产品与目前市场上的透明导电ITO玻璃相比，表现出良好的柔韧性以及较低的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637641B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210074222.9
申请日：2012-03-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种相变随机存储器阵列与CMOS流片外围电路芯片的集成方法，包括：将外围电路芯片上顶层金属阵列或/和顶层钨塞阵列的钝化层去掉；保留顶层金属阵列，或去掉顶层金属阵列并保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列；外围电路芯片顶层表面待集成存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号；将存储器阵列的下电极层制作在顶层金属阵列或者顶层钨塞阵列上面，然后依次制作存储器阵列其他各层，实现外围电路芯片与存储器阵列的集成。这样可以进一步研究CMOS工艺与相变随机存储器的兼容性、CMOS寄生效应对相变随机存储器的影响等问题，对相变随机存储器走向实用化，商业化具有较大的意义。
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公开(公告)号：CN102522500A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110407852.9
申请日：2011-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种简单易行的相变存储器阵列的制备方法，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层；在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均可以包括绝缘层。本发明只涉及纳米加工技术和薄膜制备方法，器件结构简单，制备方法容易实施，与CMOS制造工艺兼容性好，并且可以实现大容量存储阵列的制备。
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公开(公告)号：CN101817256B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010160465.5
申请日：2010-04-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于双碳纳米管微气泡发生器的喷印头及其制备方法。喷印头包括碳纳米管微气泡发生器和微流体结构，微流体结构包括主通道、毛细通道、微腔室和喷嘴。碳纳米管微气泡发生器和微流体结构分别制作。采用硅表面加工和体硅加工工艺制作喷印头结构，前者主要包括光刻制作图形，磁控溅射工艺制作掩膜，湿法腐蚀掩膜等；后者主要采用湿法腐蚀和干法刻蚀相结合的方法来制作微流体结构。用紫外固化键合方法将双微气泡发生器和微流体结构接合形成完整的喷印头结构。本发明具有很高的空间分辨率、很高的频率响应和很低的功耗。它消除了次液滴问题，有效提高了喷印图形的质量。并具有良好的高密度集成的潜力，在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101168488B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710168369.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/462 , G11B9/02
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101403722A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810197518.3
申请日：2008-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种微传感器及其制备方法。该微传感器的结构为：衬底为表面带氧化层的硅片，在衬底上设置有二个碳MEMS电极，在二个碳MEMS电极之间的距离为1～10μm，碳MEMS电极的厚度为1～100μm；碳纳米管架设于二个碳MEMS电极之间，碳纳米管的直径为10～30nm。其制备方法是在衬底上利用光刻胶经热处理碳化制作碳MEMS电极，在碳MEMS电极利用介电电泳和退火处理将碳纳米管定位在碳MEMS电极之间。本发明克服了传统电极的传感器受衬底影响大、不能探测空间位置的缺点，并具有良好的高密度集成的潜力，在生物化学医药环境检测和监控特别是微流体测量中具有广泛的应用前景。
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