公开(公告)号：CN114988860A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210640862.5

申请日：2022-06-07

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院 ,  温州精石微通科技有限公司

Inventor： 宋小强 ,  雷文 ,  吕文中

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/01 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷的化学组成为[(1‑x)CaB2O4‑xCaSiO3]‑ywt％BaZrO3‑zwt％LiF，其中CaSiO3、CaB2O4、BaZrO3为主晶相，LiF为烧结助剂，且0

公开(公告)号：CN113161725A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110266697.7

申请日：2021-03-11

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 王晓川 ,  朱亚新 ,  吕文中 ,  梁飞 ,  雷文 ,  汪小红 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/50 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/06

Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波天线，其包括，金属盖板，金属盖板上开有四个辐射口；金属腔体，用于接收电磁波产生谐振；四个金属块体，均匀地置于金属腔内，与腔体底面相连接，与上方四个辐射口共用同一个腔体，形成四个辐射单元，每个金属块的上表面有沿X轴方向的电流，形成一个面电流辐射结构；通过在腔体上方添加金属盖板，每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝，等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个腔体和一个馈电耦合缝隙，使天线结构得到简化；天线的厚度小于一个波长，具有低剖面的特性；整个天线为纯金属结构，避免了介质损耗问题，本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。

公开(公告)号：CN112038735A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010774699.2

申请日：2020-08-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁飞 ,  蒙顺良 ,  张榕 ,  尹宇豪 ,  吕文中

IPC: H01P1/20 ,  H01P1/207

Abstract: 本发明公开了一种双盲槽容性耦合结构的陶瓷滤波器，包括外表面具有导电金属镀层的滤波器本体、本体上表面的调谐孔、耦合槽和上下盲槽组成的容性耦合结构；调谐孔为盲孔，耦合槽为矩形通槽，容性耦合结构由上下两个相同长宽高的盲槽组成，位于两个调谐孔之间。本发明在两个调谐孔之间开设上下双盲槽容性耦合结构，通过调整盲槽的长度和高度可以改变耦合量的大小，从而实现陶瓷滤波器的容性耦合；单个盲槽的高度小于滤波器高度的一半，不存在盲槽高度限制且盲槽长度灵活可调，有效降低了陶瓷滤波器容性耦合的调试难度并提高容性耦合的调试精度，具有结构简单、设计方便、容易生产制备等特点。

公开(公告)号：CN109320244B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201811063463.7

申请日：2018-09-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  曾子庆 ,  王晓川 ,  吕文中 ,  郝孟猛 ,  文玥

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/50 ,  C04B35/472

Abstract: 本发明属于新型无机非金属材料领域，更具体地，涉及一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法。其化学通式为xPby(Yb1/2Nb1/2)O2+y‑(1‑x)PbyTiO2+y+u％LiSbO3+v％MaOb，其中，0.48≤x≤0.52；0.98≤y≤1.04；0 370℃)及适中的介电常数(εr＝2000～3500)，满足叠层压电驱动器对陶瓷材料的应用要求。

公开(公告)号：CN110563463A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910927298.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  杜康 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  汪小红 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种低介微波介质陶瓷及其LTCC材料。将化学通式为Ca2RE8Si6O26(RE＝Nd,Sm,Er)的化合物用于制备微波介质陶瓷材料，并进一步制备LTCC材料。该陶瓷具有低相对介电常数(εr＝13.4～14.0)、优异的品质因数(Q×f＝16300～18600GHz)和较宽的烧结温度(1350℃～1400℃)，同时该微波介质陶瓷具有负的谐振频率温度系数(-38.1ppm/℃≤τf≤-17.8ppm/℃)。该微波介质陶瓷的烧结温度在添加一定量的烧结助剂CaO-La2O3-B2O3-SiO2玻璃后能降至950℃以下，能作为一种LTCC材料来使用。

公开(公告)号：CN109534789A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811296117.3

申请日：2018-11-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 楼熠辉 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  雷文 ,  王飞

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/628 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  C04B35/22 ,  C04B35/495 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介质滤波器的制备方法，包括以下步骤：(1)对微波介质陶瓷粉进行表面处理，并配制光敏树脂，接着两者混合得到陶瓷浆料；(2)建立CAD模型，并将陶瓷浆料放入光固化3D打印机的料槽中；(3)利用光固化3D打印机进行增材制造成型得到陶瓷介质滤波器生坯；(4)对生坯进行排胶处理及烧结处理得到陶瓷介质器件胚体；(5)在陶瓷介质器件胚体上制备电极，即可得到陶瓷介质滤波器。本发明通过使用增材制造工艺，能够有效克服现有介质滤波器所存在的加工困难、产量低、精度低、性能不稳定、生产周期长的缺点，尤其适用于实现复杂结构陶瓷介质滤波器的制备。

公开(公告)号：CN109320244A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811063463.7

申请日：2018-09-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  曾子庆 ,  王晓川 ,  吕文中 ,  郝孟猛 ,  文玥

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/50 ,  C04B35/472

Abstract: 本发明属于新型无机非金属材料领域，更具体地，涉及一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法。其化学通式为xPby(Yb1/2Nb1/2)O2+y-(1-x)PbyTiO2+y+u％LiSbO3+v％MaOb，其中，0.48≤x≤0.52；0.98≤y≤1.04；0 370℃)及适中的介电常数(εr＝2000～3500)，满足叠层压电驱动器对陶瓷材料的应用要求。

公开(公告)号：CN108249902A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810125883.7

申请日：2018-02-06

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  宋小强 ,  吕文中 ,  汪小红 ,  王晓川 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: C04B35/16

Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法，其中微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y，其中，A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz，B为Cu或者Mg，0.5≤x≤2，1≤y≤4，0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2～12，微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz～82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃～‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃～1125℃。可以看出，本发明制备时烧结温度的范围较大，制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。

公开(公告)号：CN107721410A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710745780.6

申请日：2017-08-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  金善龙 ,  郝孟猛 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  邓皓元 ,  周静怡

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3296

Abstract: 本发明公开了一种二元高温压电陶瓷的制备，采用PbO和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O，不用合成前驱体MgTiO3，将所有原材料进行混合球磨，一次性制得压电陶瓷的预烧粉体；对于(1-x)Bi(Mg0.5Ti0.5)O3-xPbTiO3压电陶瓷体系，当x＝0.38时，处于准同型相界，性能参数依次为：d33＝205pC/N、Kp＝0.33、Qm＝22、tanδ＝52*10-3、εr＝1128、Tc＝440℃；与现有技术相比，本发明以Bi(Mg0.5Ti0.5)O3-PbTiO3二元压电陶瓷作为基体材料进行研究，通过固溶和取代的方式，改善压电陶瓷的居里温度和介电压电性能，具有推广应用的价值。

公开(公告)号：CN105399405B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510963435.0

申请日：2015-12-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  邹正雨 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  汪小红

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波铁电陶瓷的化学通式为xBaO‑yZnO‑zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2，1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对BaO、ZnO和SiO2的混合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得xBaO‑yZnO‑zSiO2基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采用去离子水作分散剂，能制备出致密的铁电体单相，且制备温度低于Cu或Ni的熔点，所制备的低介微波铁电陶瓷具有优异的微波介电性能和抗还原特性，具有介电常数小、微波介电损耗低的特点，可通过改变其晶格结构来调控其τf值，适于作BME‑MLCC的介质材料。