公开(公告)号：CN107602129B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710948634.3

申请日：2017-10-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  郝孟猛 ,  王晓川 ,  梁飞 ,  史玉升 ,  李晨辉 ,  周静怡 ,  王为

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B28B1/29

Abstract: 本发明公开了一种SiC的水基流延制备方法，包括如下步骤：将陶瓷粉体与PH＝10的氨水、分散剂混合球磨，得同质陶瓷浆料；按比例向所得的同质陶瓷浆料内加入粘结剂、增塑剂和表面活性剂，进行二次球磨，得陶瓷浆料；对所得的陶瓷浆料依次进行除泡、流延、干燥以及揭膜、裁剪处理；所述粘结剂为质量分数为7％的PVA，所述PVA的添加量为陶瓷粉体质量的8％，所述分散剂为四甲基氢氧化氨(TMAH)，所述表面活性剂为Surfynol SE‑F，Surfynol SE‑F的添加量为陶瓷浆料总质量的3％；所述增塑剂为甘油。本发明所得的SiC膜片具有良好的延展性、韧性和均匀性，且具有一定抗拉强度。

公开(公告)号：CN105948723A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610505162.X

申请日：2016-06-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  王凯 ,  吕文中 ,  史玉升 ,  李晨辉 ,  雷文 ,  梁飞 ,  周静怡

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种氧化铝微波介质陶瓷及其制备方法。该氧化铝微波介质陶瓷包括氧化铝、氧化钇、氧化锆和CMS混合物，氧化铝的质量百分比为95％～98％，氧化钇的质量百分比为0.25％～0.75％，氧化锆的质量百分比为0％～3％，CMS混合物的质量百分比为1.25％～3.25％；CMS混合物包括氧化镁、氧化钙和氧化硅，氧化镁的质量百分比为18.6％，氧化钙的质量百分比为50.1％～56.0％，氧化硅的质量百分比为25.4％～31.3％。制备方法为：按配比将氧化铝、氧化钇、氧化锆和CMS混合物混合，球磨烘干、造粒并压成坯片，排胶烧结制得陶瓷。通过添加组合氧化物，使陶瓷有高微波介电性能和高耐击穿强度。

公开(公告)号：CN107721410A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710745780.6

申请日：2017-08-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  金善龙 ,  郝孟猛 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  邓皓元 ,  周静怡

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3296

Abstract: 本发明公开了一种二元高温压电陶瓷的制备，采用PbO和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O，不用合成前驱体MgTiO3，将所有原材料进行混合球磨，一次性制得压电陶瓷的预烧粉体；对于(1-x)Bi(Mg0.5Ti0.5)O3-xPbTiO3压电陶瓷体系，当x＝0.38时，处于准同型相界，性能参数依次为：d33＝205pC/N、Kp＝0.33、Qm＝22、tanδ＝52*10-3、εr＝1128、Tc＝440℃；与现有技术相比，本发明以Bi(Mg0.5Ti0.5)O3-PbTiO3二元压电陶瓷作为基体材料进行研究，通过固溶和取代的方式，改善压电陶瓷的居里温度和介电压电性能，具有推广应用的价值。

公开(公告)号：CN107602129A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710948634.3

申请日：2017-10-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  郝孟猛 ,  王晓川 ,  梁飞 ,  史玉升 ,  李晨辉 ,  周静怡 ,  王为

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B28B1/29

Abstract: 本发明公开了一种SiC的水基流延制备方法，包括如下步骤：将陶瓷粉体与PH＝10的氨水、分散剂混合球磨，得同质陶瓷浆料；按比例向所得的同质陶瓷浆料内加入粘结剂、增塑剂和表面活性剂，进行二次球磨，得陶瓷浆料；对所得的陶瓷浆料依次进行除泡、流延、干燥以及揭膜、裁剪处理；所述粘结剂为质量分数为7％的PVA，所述PVA的添加量为陶瓷粉体质量的8％，所述分散剂为四甲基氢氧化氨(TMAH)，所述表面活性剂为Surfynol SE-F，Surfynol SE-F的添加量为陶瓷浆料总质量的3％；所述增塑剂为甘油。本发明所得的SiC膜片具有良好的延展性、韧性和均匀性，且具有一定抗拉强度。