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公开(公告)号：CN117494631A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311441019.5
申请日：2023-11-01
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/343
Abstract: 本发明涉及一种FPGA中单粒子软错误传播结果评估方法，包括以下步骤：步骤一：FPGA结构特点分析和电路模块划分；步骤二：单粒子软错误关键节点分析；步骤三：单粒子软错误传播过程分析；步骤四：元胞自动机模型建模。该方法提出了一种基于元胞自动机的FPGA单粒子软错误传播模型，通过对FPGA结构的分析和逐级结构的拆解，利用元胞自动机中元胞的演化表现单粒子软错误在FPGA中不同层级的传播，并考虑电路三种屏蔽效应的存在对软错误传播概率的影响，得到单粒子软错误传播结果。与传统的仿真与概率计算方法相比，可以更直观高效的对大型集成电路中的单粒子软错误传播结果进行评估。
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公开(公告)号：CN108875192B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201810594301.X
申请日：2018-06-11
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种典型CMOS器件极限低温特性仿真方法，包括以下步骤：步骤一：低温条件下影响因素分析；步骤二：底层物理模型选择；步骤三：晶体管级建模仿真；步骤四：低温SPICE模型；步骤五：电路级建模仿真；步骤六：行为级建模仿真。本发明基于半导体物理的理论，从MOSFET器件极限低温条件下可能发生的底层物理机制入手，进行晶体管级、电路级、行为级三级仿真，通过仿真分析得到CMOS器件在极限低温条件下的电学特性变化规律。此方法属于CMOS器件可靠性仿真评价技术领域。
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公开(公告)号：CN112836342B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110008735.9
申请日：2021-01-05
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/20 , G01N3/24 , G06F119/14 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种基于连续损伤力学的微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法，包括步骤一：结合温度载荷分析微米银粘接层受力情况；步骤二：根据几何结构受力分析，假设损伤过程近似剪切力单调加载；步骤三：根据代表体积单元微观缺陷图像，参数化非线性损伤过程的损伤变量；步骤四：基于连续损伤力学，构造损伤演化方程；步骤五：根据剪切强度测试结果确定失效阈值，代入测试组数据确定模型的未知参数；步骤六：结合验证组数据，验证模型预测结果。本发明基于连续损伤力学进行微米烧结银芯片粘接层的几何受力分析，外载荷剖面和初始条件确定，应力应变场模型推导，临界失效阈值确定及寿命预测，属于元器件可靠性评价技术领域。
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公开(公告)号：CN112836342A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110008735.9
申请日：2021-01-05
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/20 , G01N3/24 , G06F119/14 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种基于连续损伤力学的微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法，包括以下步骤：步骤一：结合外界温度载荷剖面和初始条件，分析微米银粘接层几何结构受力情况；步骤二：结合几何结构的受力分析，假设损伤过程为近似单调加载的剪切力作用；步骤三：结合代表体积单元的微观缺陷检测图像，建立烧结银非线性损伤过程的内参量损伤变量；步骤四：基于连续损伤力学基本理论，构造包含损伤变量的损伤演化方程；步骤五：结合剪切强度测试结果确定失效阈值，代入试验条件和缺陷数据确定模型中未知参数取值；步骤六：结合验证试验组测试数据，验证模型预测结果的合理性。本发明涉及一种微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法，主要基于连续损伤力学理论，进行微米烧结银芯片粘接层的几何尺寸分析，外载荷加载剖面和初始条件确定，应力应变场的模型推导，临界失效阈值确定及最终的可靠性寿命预测，属于元器件可靠性评价技术领域。
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公开(公告)号：CN108919023A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810461651.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种高密度封装的键合丝触碰的加电测试方法，包括以下步骤：步骤一：键合丝触碰信号引出电路设计；步骤二：键合丝触碰信号检测电路设计；步骤三：检测电路有效性验证；步骤四：机械冲击试验平台搭建；步骤五：步进式机械冲击试验方法研究；步骤六：机械冲击条件下电加载方法研究；步骤七：键合丝瞬时触碰失效判据。该方法考虑了半导体集成电路键合丝密度高，在使用环境中发生的机械冲击条件下可能发生瞬时触碰但检测困难的问题，利用电信号检测灵敏度高的特点，将相邻键合丝瞬时触碰的物理现象通过单片机转化为电压信号进行输出，分析输出信号的特征设计相应的信号检测电路对相邻键合丝瞬时触碰失效进行检测与分析，并用高精度示波器对检测方法进行了有效性验证。此方法属于高密度封装器件可靠性测试技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108875192A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810594301.X
申请日：2018-06-11
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种典型CMOS器件极限低温特性仿真方法，包括以下步骤：步骤一：低温条件下影响因素分析；步骤二：底层物理模型选择；步骤三：晶体管级建模仿真；步骤四：低温SPICE模型；步骤五：电路级建模仿真；步骤六：行为级建模仿真。本发明基于半导体物理的理论，从MOSFET器件极限低温条件下可能发生的底层物理机制入手，进行晶体管级、电路级、行为级三级仿真，通过仿真分析得到CMOS器件在极限低温条件下的电学特性变化规律。此方法属于CMOS器件可靠性仿真评价技术领域。
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公开(公告)号：CN102663200B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210122944.7
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，该方法有六大步骤：步骤1：建立能够反映GaAs？FET物理结构的等效电路图；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；步骤4：建立模型元件与温度之间的函数关系；步骤5：GaAs？FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现；步骤6：模拟GaAs？FET关键性能参数随温度的变化关系。本发明能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，方便器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化。它在微电子技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102708233A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210123652.5
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种适用于表面安装工艺的可靠性实现能力评估方法，它有五大步骤：一、建立数值分析模型，计算获得应力状态；二、建立并分析工艺前模型，获得工艺前可靠性数值；三、抽样检验，定量评价；四、建立并分析工艺后模型，获得工艺后可靠性数值；五、可靠性数值处理，评估工艺可靠性。本发明可以有效评估表面安装工艺的可靠性实现能力水平，解决了工艺可靠性实现能力评估方法缺失问题；此方法采用了简单的抽样检验方法，并采用便于检验的外形参数进行表面安装工艺可靠性实现能力的计算评价，便于工程实施。
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公开(公告)号：CN102663201A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210123532.5
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种考虑电气互连结构可靠性的电子产品可靠性预计方法，它有八大步骤：一：找产品中电气互连部分的潜在故障点，对电子组装公差的参数进行仿真抽样；二：利用仿真进行环境应力分析，得到失效物理模型的输入；三：将潜在故障点仿真数据代入失效物理模型，生成失效前的样本数据；四：根据失效前样本数据，构建产品失效前故障仿真数据矩阵Am×n；步骤五：对Am×n中相应数据合并，得化简后的Am×k，其中k≤n；步骤六：取化简后的Am×k各行向量元素最小值，构成板级故障仿真向量TTFBoard；步骤七：对m维列向量TTFBoard的全部元素取均值得到产品的平均故障前工作时间MTTF；步骤八：加入元器件自身的失效率及可靠性模型，得到产品的失效率为最终预计结果。
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公开(公告)号：CN102590726A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210044604.7
申请日：2012-02-23
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，该方法有四大步骤：步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；步骤二、H桥电路的无故障仿真；步骤三、H桥电路阈值电压退化仿真；步骤四、综合分析得出实际应用中的结论。本发明将实际应用中极其常见的功率VMOS管H桥驱动电路进行仿真，分析主要是原因阈值电压退化漂移，并利用数学原理对功率VMOS管的各项参数进行分析计算，得出结论。其构思科学，方法新颖。它在功率半导体器件安全测试技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。
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