一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法

    公开(公告)号:CN105866573B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201610183676.8

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 本发明一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,涉及一种基于加速器试验数据的系统单粒子防护效果验证的重离子和质子等效试验验证领域;包括:(1)采用基于LET值确定的地面加速器重离子试验;(2)分析质子静态翻转截面;(3)分析系统在任意工作模式下的敏感位因子;(4)分析系统在重离子辐照下的动态翻转截面;(5)分析系统在质子辐照下的动态翻转截面;本发明提供一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,该方法可用于单粒子防护效果验证,解决国内加速器时间紧张以及难以实现高能质子试验的问题。

    一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法

    公开(公告)号:CN105869679A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183678.7

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G11C29/10 G11C29/56

    Abstract: 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1?(1?λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M?电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。

    一种基于紫外LED的航天器表面充电防护方法

    公开(公告)号:CN104732094A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510145191.5

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于紫外LED的表面充电防护方法,属于微电子技术领域、空间辐射技术领域。计算航天器表面材料的光电流与入射光频率和功率的关系;首先获取航天器表面材料的光电子发射系数,建立光电流与入射光光谱辐照度的关系;(2)根据步骤(1)得到的光电流与入射光光谱辐照度的关系,选择一种合适的入射光频率;计算航天器表面材料在轨充电电流密度I;计算足以抵消充电电流所需的入射光功率,令J=I,得到p(λ)。

    一种FPGA单粒子软错误影响评估方法

    公开(公告)号:CN104461808A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410636120.0

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种FPGA单粒子软错误影响评估方法,能够针对未采取防护措施的SRAM型FPGA的具体配置,综合考虑SRAM型FPGA的设计结构和资源占用量,获得了FPGA内部单元单粒子软错误故障的传递概率,并分析得到单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,使得卫星电子产品设计师能够掌握单粒子软错误对SRAM型FPGA的整体影响,有利于指导SRAM型FPGA的抗单粒子软错误设计。

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